1) Al2O3/Cu composites layer
A12O3/Cu表面复合层
1.
Influence of the aluminum in aluminizing agents on the aluminum distribution in the copper surface is discussed, the microstructure and properties of Al2O3/Cu composites layer under different technical parameter are studied.
本文采用包埋法纯铜渗铝-内氧化工艺制备A12O3/Cu表面复合层,考察了渗剂中铝含量对表面渗层中铝含量分布的影响,并对采用不同工艺参数条件下获得的A12O3/Cu表面复合层的显微组织和性能进行了相关研究。
2) Al2O3/Cu compound layer
Al2O3/Cu表面复合层
1.
Al2O3/Cu compound layer was prepared through internal oxidation of aluminized copper.
利用纯铜渗铝-内氧化工艺制备了Al2O3/Cu表面复合层,测试了表层的组织结构和力学性能,并进行了黏着磨损、固定磨料磨损和松散磨料振动与非振动情况下的磨损试验。
3) Cu/WC P composite coating
Cu/WCP表面复合涂层
4) laminated A12O3 Ceramic matrix Composites
A12O3层状复合陶瓷
5) surface composite layer
表面复合层
1.
By optimizing the electron beam parameters, chromium carbide is in situ synthesized in the surface composite layer.
通过电子束加热工艺和粉末配比的优化,在表面复合层中原位合成了(Cr,Fe)7C3。
2.
By optimizing the electron beam parameters,chromium carbide is in-situ synthesized in the surface composite layer.
以Fe/Cr/C粉末为添加粉末,通过电子束加热工艺参数的优化,在表面复合层中原位合成了碳化铬。
6) Al 2O 3/Cu surficial composite layer
Al2O3/Cu表面复合材料
补充资料：表面复合（surfacerecombination）
表面复合（surfacerecombination）
位于半导体表面禁带内的表面态（或称表面能级）与体内深能级一样可作为复合中心，起着对载流子的复合作用。为此，通常把半导体非平衡载流子通过表面态发生复合的过程称为表面复合。与体复合相比表面复合更为复杂，它不仅依赖于表面复合中心浓度及体掺杂浓度，还依赖于表面势。而表面势又是对周围环境敏感的参量，所以表面复合会因表面环境条件的变化而发生变化。半导体器件通常都要求较低且稳定的表面复合速度，因此，在半导体工艺技术上如何控制表面复合是一个非常重要的问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条