1)  electron-doped
电子型掺杂
1.
A few studies of electron-doped manganites reveal.
一些研究揭露电子型掺杂锰氧化物反常的磁特性,吸引了对这种化合物的注意。
2)  electron-doped high-T_c superconductor
电子型掺杂高温超导体
1.
Femtosecond time-resolved dynamics in electron-doped high-T_c superconductor La_(2-x)Ce_xCuO_4;
电子型掺杂高温超导体La_(2-x)Ce_xCuO_4飞秒时间分辨动力学研究
3)  magnetization
电子型掺杂锰氧化物
4)  electronic
电子
1.
Development of an electronic optometer based on SCM;
单片机电子视力计的研制
2.
Clinical analysis on liposuction adopting electronic liposuction machine;
医用电子去脂机行抽脂术临床效果分析
3.
Research on the development of automobile electronic information industry ——based on the theory of industry growth;
基于产业成长理论的中国汽车电子信息产业发展研究
5)  electron
电子
1.
Mixed proton-electron conductors for hydrogen permeation;
质子-电子混合导体透氢膜
2.
Study of ion catch technology of electron microscopy in virus detection of patient s excrement;
离子扑捉电子显微镜技术检测患者粪便中病毒的方法
3.
Teaching research on electric and electron speciality oriented art recruiting students;
面向文科招生的电气、电子专业教学研究
6)  electrons
电子
1.
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ~(60)Co Gamma rays,electrons and protons;
CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较
2.
In order to study avalanche ionization mechanism, it is inevitable to deal with rates of electrons absorbing and losing energy.
研究雪崩破坏机理,必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率,这些都与电子和声子的散射有密切的联系。
3.
N-channel MOS transistors from CC4007,CC4011 and LC54HC04RH device were irradiated with different dose rate Co-60 gamma rays,lower energy protons(less then 9MeV)and 1MeV electrons.
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 。
参考词条
补充资料：等电子掺杂（isoelectronicdoping）
等电子掺杂（isoelectronicdoping）

与被替代的基体原子具有相同价电子结构的替代原子的掺杂。等电子杂质虽然是电中性的，但由于其原子半径及电负性与被替代原子不同，因此产生的短程势起陷阱作用，能俘获电子（空穴），并成为负电或正电中心而吸引一个空穴（电子），形成束缚激子。相邻的等电子中心成对地相互作用，形成一系列束缚激子能级。在某些半导体材料中掺入等电子杂质，由于束缚于等电子陷阱的束缚激子是局域化的，因而使辐射复合的概率增大，发光效率有较大增加。这一原理在GaP和GaAsP发光二极管中已广泛使用。等电子掺杂有利于提高发光效率的另一个原因是等电子陷阱束缚的激子仅包含一个电子和一个空穴，因此复合时不会产生俄歇（Auger）过程（一种非辐射复合过程）。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。