1)  metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉
2)  MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
3)  Metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.
p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
4)  metal organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
5)  metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃.
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.
The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.
生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
6)  LP-MOCVD
低压金属有机化学气相沉积
1.
InAs Self-assembled Quantum Dots Grown on (001)InP by LP-MOCVD;
报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80me
参考词条
补充资料：一向沉昏觉观发相
【一向沉昏觉观发相】
　　谓修禅之人，于修禅定时，心虽一向昏闇犹如睡眠，然于昏昏之中，切切攀缘觉观不住，是名沉昏觉观发相。
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