1)  Sm~(3+) ion doping
sm~（3+）离子掺杂
2)  Sm
Sm
1.
Simultaneous Analysis of La, Ce, Pr, Sm and Nd in Tea with ICP-OES;
ICP-OES法同时测定茶叶中La、Ce、Pr、Sm、Nd五种稀土元素
2.
Luminescence mechanism of charged upconversion material CaS∶Eu,Sm;
存储型上转换发光材料CaS:Eu,Sm的发光机理研究
3.
Microwave Synthesis and Luminescence Properties of CaS:Eu, Sm;
CaS:Eu,Sm的微波合成与发光性能研究
3)  Sm(Ⅲ)
Sm（Ⅲ）
4)  Sm)
Sm）
5)  Sm(Ⅲ)
Sm（）
6)  Sm~3+
Sm~3+
1.
The CT energy difference of Sm~3++ and Eu~3+ in a specific host lattice M_5.
发现在Ca_5(P_O4)_3F中Sm~3+的电荷迁移带约在191nm,在Sr_5(P_O4)_3F中约在199nm,而在Ba_5(P_O4)_3F中约在204nm,随着被取代碱土离子半径的增大电荷迁移能量逐渐减小。
参考词条
补充资料：离子掺杂工艺
分子式：
CAS号：

性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。