1) TiO_2-Ag thin films
TiO_2-Ag薄膜
2) Ag/TiO_2 thin film
Ag/TiO_2薄膜
3) Ag/TiO_2 nanocomposite films
Ag/TiO_2纳米复合薄膜
1.
Herein we have systematic investigated the holographic data storage properties of photochromism Ag/TiO_2 nanocomposite films, and discuss the mechanism of forming/ erasing holographic gratings on the Ag/TiO_2 nanocomposite films, as well as the stability of the holographic fringes.
本课题对Ag/TiO_2纳米复合薄膜材料全息光存储性能进行了系统的实验研究,探讨了此类光致变色材料的全息光栅形成机理、可擦写特性以及稳定性。
4) Nanometer Ag-TiO_2
纳米Ag-TiO_2膜
1.
Studies on Treatment of Drinking Water by Nanometer Ag-TiO_2 Photocatalysis;
本文采用凝胶—溶胶法和浸渍-提拉法制备了负载Ag的TiO_2膜，借助XRD，DRS，SEM和AFM等测试手段对制备的纳米Ag-TiO_2膜进行了表征。
6) TiO2-Ag thin films
TiO2-Ag薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条