1) quantum nonlinear lattices
量子非线性晶格
1.
In the study of 1D quantum nonlinear lattices, espe.
在一维量子非线性晶格的研究中,特别是动力学的研究中,求解多粒子体系的含时薛定谔方程是不可避免的。
4) two-dimensional nonlinear lattice
二维非线性晶格
5) nonlinear lattice effect
晶格非线性效应
1.
So the study of the nonlinear lattice effects in electron-phonon interaction systems has been received extensive attention of many researches in the past years.
电子-声子耦合系统的物理特性是凝聚态理论中的一个基本问题，它的发展和完善可能为凝聚态物理与材料物理领域及蛋白质分子生物学等交叉学科领域中一些重要问题的解决带来一定的启示甚至突破性的进展，因而近几年来电子-声子耦合系统中晶格非线性效应的研究受到人们的广泛关注。
6) nonlinear photonic crystal
非线性光子晶体
1.
Considering one-dimensional nonlinear photonic crystal with metal cladding and using Maxwell's classical electromagnetic theories,the theoretical analysis model of the electromagnetic wave propagations is founded to obtain the full-wave solutions of the electromagnetic fields.
考虑具有金属包层结构的一维非线性光子晶体,应用Maxwell经典电磁理论,建立了电磁波传播特性的理论分析模型,得到了其电磁场的全波解。
2.
We study spectral properties and photon statistical characteristics of a strongly driven single-atom laser engineered within a nonlinear photonic crystal.
这些光场和空间相位的非线性相互重叠决定了非线性过程的强度以及在非线性光子晶体中获得的光的性质。
3.
The LiNbO3 nonlinear photonic crystal with two-dimensional octagonal quasilattice was fabricated by applying external electric field.
采用外加高压电场极化的方法,制备了二维八重准周期结构的铌酸锂非线性光子晶体。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条