1) vacuum breakdown properties
真空击穿性能
2) Vacuum breakdown
真空击穿
1.
Experimental simulation of vacuum breakdown of compressor s terminal;
压缩机接线柱真空击穿的试验模拟
4) vacuum performance
真空性能
1.
Two kinds of glassfiber reinforced composites developed by ASIPP were tested at room temperature for evaluating their vacuum performance.
将EAST装置所用的绝缘子玻璃钢材料和超导磁体绝缘结构所采用的玻璃钢材料放入自行设计的真空性能评价装置的样品室,在常温下进行出气率试验。
5) high-frequency breakdown performance
高频击穿性能
1.
The effects of oxide content on dielectric constant, dielectric loss, and high-frequency breakdown performance of the composites were studied.
在聚全氟乙丙烯(FEP)中添加 TiO_2和 Al_2O_3,通过热压成型的方法制备了 FEP/TiO_2复合材料和 FEP/Al_2O_3复合材料,研究了氧化物添加量对复合材料介电常数、介电损耗和高频击穿性能的影响。
6) air breakdown
空气击穿
1.
air breakdown threShold is lower as ω0 decreasing or aerosolsize d.
得到：空气中含较大粒子（Ａｌ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＺｒＯ２，１８ｔｈｇｌａｓｓ、ｄ＞３０μｍ）的光致击穿阈值比含较小粒子（ｄ＜１μｍ）的空气击穿阈值低２～３个数量级；含杂空气的击穿阈值随入射激光束直径的增大而下降、随气溶胶粒子直径的增大而减小，且随气溶胶的成分不同而不同。
2.
The air breakdown in the coupling area of 15 MW laser pulse and 600 μm silica optical fiber is investigated.
研究了15 MW峰值功率脉冲激光与600μm芯径石英光纤耦合中存在的空气击穿现象。
补充资料：真空击穿
真空击穿
electrical breakdown in vacuum
今流行的真空击穿理论有场致发射引发击穿和微粒引发击穿。 在短间隙(d簇Zmm)中，场致发射过程起主要作用;在大间隙(d)smm)中，微粒机制起主要作用;中间的距离是二者的过渡区。 场致发射引发击穿在100v/m数量级的强电场的作用下，金属表面要发生场致电子发射(见阴极电子发射)。在真空间隙上实际施加的工作场强在5只10，V/m以下，用透射电子显微镜观察电极，发现其表面有一些微小凸点，见图2。在凸点尖部电场增强系数达150，从而使局部微观场强超过10gV/m厂发生显著的场致电子发射。当电压升高时，发射电流密度加大。当阴极上的凸点很尖时，它会发生爆发性的气化，产生微小的等离子体，进而可能引发整个间隙的击穿。当阴极上的凸点不太尖锐时，由它发射的电子束的功率密度很大，在阳极表面产生热点，引起阳极材料的气化，而引发击穿。 .2林m-电极表面 图2电极表面的显微图 微粒引发击穿在电极表面存在许多尺寸为微米数量级的粒子，它们不太紧密地附在电极表面上。在强电场的作用下，它们带着电荷离开电极表面，并在间隙中加速，直到碰撞到对面电极。因它们的动能很大，引起对面电极材料的熔化、气化，为产生微小的等离子体创造条件。有两种说明飞行微粒产生微小等离子体的模型;①当带电微粒飞行到与对面电极相距几微米距离时，可产生109v/m的强电场，而发生强的场致发射，使局部电极或微粒气化，产生微小等离子体，从而可能引发整个间隙的击穿。②阳极上的微粒向阴极飞行，在途中被阴极发射电流加热、气化，产生微小等离子体。- 真空击穿理论还在不断发展。近年来实验观测和理论模型说明，电极表面的绝缘夹杂物，在电极表面上与电极绝缘的金属和非金属微粒都是很强的场致电子发射点。-zhen认。自g]lehuon真空击穿(eleetrieal breakdown in vaeuum) 在高真空的初始条件下，即电子和离子的平均自由程远大于电极间隙距离，以致间隙空间的碰撞电离可以忽略时，电极间施加很高的电压而引起的自持放电过程。 高真空间隙是一种强度很高的绝缘间隙，其击穿场强达1.3MV/cm，广泛地用于真空断路器、粒子加速器和电子管等设备中。真空间隙的击穿常常是破坏性的和不可逆转的，会破坏电极，从而使间隙在此后较低电压卞就会击穿。研究真空击穿的机理，有助于采取相应的预防措施，以提高真空间隙的绝缘性能。 1897年R.W.伍德(R.W.Wood)首先对真空击穿进行了研究。
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参考词条