1) laser material process
激光材料过程
1.
The mathematical modelling of laser material processes is important to understand the phenomena occurring in the region irradiated by the laser which is used as the heat source.
在激光材料过程中，激光辐照工件时，相当于一个热源，辐照区会发生很多现象，数值模拟对理解这些现象非常重要。
2) laser materials
激光材料
1.
In this paper the progress of materials for photonics,such as laser materials,materials of photon induced optical memory,photon probe materials and transformation materials for photon frequency,polar state and mode have been reviewed.
本文综述了几种光子学材料的发展，重点介绍了激光材料和光子存储材料。
2.
In this paper,several typical optical function materials are de-scribed,and the research progress and application development of laser materials, nonlinear optical materials and optical recording materials are reviewed.
介绍了几种典型的光功能材料,并对激光材料、非线性光学材料、光记录材料的研究进展及应用开发进行了综述。
3.
The spectral and thermal parameters of different kinds of Yb-doped laser materials are compared, and their applications are also analyzed.
比较了各种掺Yb激光材料的光谱学以及热学参数,分析了不同的掺Yb激光材料的各自用途。
3) laser material
激光材料
1.
The preparation of transparent Mn:MgAl_2O_4 ceramics with potential applications in the field of visible-band ceramic laser material and their light transmission,microstructure and photoluminescence properties were investigated by ultraviolet-visible spectrometer,scanning electron microscopy and fluorescence spectrometer,respectively.
通过紫外可见分光计、扫描电镜、荧光分光计等测试手段研究了可望用于可见波段的新型激光材料Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷的光学透过率、微观形貌和光荧光特性。
2.
Yttrium aluminum garnet (Y3 Al5O12) transparent ceramie activated by neodymium is a new generation of solid-state laser material.
掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)透明陶瓷是新一代固体激光材料。
4) active material
激活材料<光>
5) reversed lasing process
激光逆过程
6) laser photodecomposition material
激光光解材料
补充资料：半导体激光材料
半导体激光材料
semiconductor laser materials
半导体激光材料Semieonduetor laser mate-rials用于产生激光的半导体材料。在这种半导体材料中，导带电子与价带空穴发生带间直接复合，从而发出能量相当于禁带宽度的光子，称为复合发光。这一跃迁过程除了要保持能量守恒外，还要保持动量守恒。因此，要求这种半导体材料是直接带隙材料，即在动量空间(h空间)中导带底的位置与价带顶的位置相同。一般价带顶的位置在h空间的原点，因此要求导带底能谷的位置也在k空间的原点。当采用电流注入、光泵或电子束泵浦方法使这种材料中产生非平衡载流子时，复合发光就发生了。如果非平衡载流子浓度达到一个很高的水平，以至于达到粒子数反转分布时，由于光的受激发射，一定波长的光在这种材料中传输时就会得到放大，当有一个谐振腔存在时，在一定条件下，就会发生振荡，产生激光。 结构为了在半导体激光材料中形成粒子数反转分布，要向材料中注入非平衡载流子，并使其集中在一个小体积中以提高载流子浓度。为此半导体激光材料要做成一定的结构。PN结是半导体激光材料的基本结构，故半导体激光器常被称为二极管激光器，或称激光二极管、结型激光器。常用半导体激光材料的结构可分为普通PN结结构、量子阱结构、超晶格结构、应变层超晶格结构和应变层量子阱结构。其中超晶格结构是一种新型激光材料。 普通PN结结构有同质结、单异质结和双异质结3种(图1)。图a为同质结，b为单异质结，c为双异质结。由图可知，在双异质结结构中，由于有源区两侧的限制层具有较大的禁带宽度，注入的载流子被集中在很薄的有源区中。在同样的注入电流下可以获得很高的载流子浓度，有利于粒子数反转。此外，有源区的折射率较高，在两侧的低折射率限制区的包围下形成一个平板波导，产生的光子被限制在该波导中传输，不会泄漏出去而产生额外的损耗。因此，双异质结激光器的闭值很低，光束质量也较好。注百{土’‘{一b百…生乞’‘〔一子巨二’‘…生 图1 PN结结构和禁带宽度与折射率分布 量子阱结构当有源层的厚度减小到10nm量级时，电子和空穴的能量发生量子化，形成电子或空穴的势阱。一个量子阱结构的称单量子阱(图Za)。当势垒层足够厚时，以致相邻势阱之间载流子波函数之间祸合很小，将形成许多分离的量子阱，这样的多层结构称为多量子阱(图Zb)。
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参考词条