2) Ti interlayer
钛过渡层
1.
Effect of Ti interlayer on thermal residual stresses of CVD diamond films;
钛过渡层对CVD金刚石膜热残余应力的影响
2.
Thermal stress distribution in film/substrate systems were calculated separately,one with Mo,W and Ni substrates and the other with Mo substrates with Ti interlayer.
分别计算了在常用金属材料钼、钨、镍作衬底和用镀有钛过渡层的钼作衬底的情况下,膜/衬底间的热应力分布情况。
3.
A type of composite substrate was explored to solve the problem of crack in the deposition of diamond films,that is,Mo substrates with Ti interlayer.
为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底。
3) Transition layer
过渡层
1.
Research of synthesizing PDC by using various transition layer materials;
采用过渡层合成金刚石复合片研究
2.
Transition Layer of Copper-cladding Aluminum in Continuous Casting;
连铸铜包铝复合棒坯过渡层的研究
3.
Interface structure and mechanical properties of FeNi alloy transition layer of composite pipes prepared by SHS;
SHS复合管FeNi合金过渡层接合界面结构及力学性能
4) transitional layer
过渡层
1.
Reflectance signatures of transitional layer and its tuning effects to the amplitudes of pulsating waves.;
过渡层反射特征及脉冲波的振幅调谐现象
2.
With the effect of spraying transitional layer, a stainless steel alloy layer was obtained on the magnesium based metal matrix composites by laser cladding.
利用中间过渡层的作用 ,在镁基金属复合材料上激光熔覆了不锈钢合金层 ,熔覆层与基体为冶金结合。
3.
Measures on resisting earthquake structure were proposed in setting of transitional layer,construction columns,earthquake resisting walls,forms and structure of earthquake resisting walls,and the design of gird beam of reinforced.
根据《建筑抗震设计规范》(GBJ11-89)中有关底层框架—抗震墙砖房的规定 ,从工程实用的角度出发 ,探讨了底部两层框架—抗震墙砖房的设计要点 ,并从过渡层楼板、构造柱的设置、抗震墙的设置、结构形式、抗震墙的构造、钢筋混凝土圈梁、过渡层外纵墙、上部承重砖墙等的构造设计方面提出了抗震构造措施。
5) buffer layer
过渡层
1.
Influence of Ni buffer layer on micro structure and giant magnetoresistance of Co/Cu/Co sandwiches;
Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响
2.
GaAs epitaxial layer was charactorized by changing the growth temperature of GaAs buffer layer.
通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。
3.
First, we deposited the buffer layer of MgB_ 2 with 10μm thick, then deposited the surface MgB_ 2 thick film layer with 20μm.
我们用混和物理化学气相沉积法(HPCVD)在不锈钢衬底上原位制备了以MgB2厚膜(约10微米厚)为过渡层的MgB2超导厚膜(约20微米厚)样品,两层膜总厚约30微米。
6) interlayer
['intə(:),leiə]
过渡层
1.
Interlayer Technology Between CVD Diamond Films and WC-Co Substrates;
CVD金刚石薄膜与硬质合金基体之间过渡层技术
2.
Effects of different substrates and interlayer bonding on residual stress field were investigated.
采用有限元方法分析氮铝钛涂层的残余热应力,研究不同的基体及过渡层对残余热应力分布的影响。
3.
Ceramic-lined composite steel pipe with an Al_2O_3 and FeAl_2O_4 ceramic layer was prepared by the self-propagating high-temperature synthesis method using MnO_2 powder as additive,and the effects of MnO_2 on the structure and mechanical proper- ties of the ceramic layer and interlayer were studied.
采用MnO_2作为添加剂自蔓延高温合成法制备了具有Al_2O_3和FeAl_2O_4陶瓷层的复合钢管,研究其对陶瓷层和过渡层的结构和性能的影响。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条