1) variety pressure deposition
变电压沉积
2) deposition voltage
沉积电压
1.
Influence of deposition voltage on nanoporous ZnO films by electrochemical synthesis;
沉积电压对电化学合成纳米ZnO多孔薄膜的影响
2.
The influence of deposition voltage on the phase composition and microstructure of HAp coatings was investigated.
采用水热电沉积法在碳/碳复合材料表面制各了羟基磷灰石(hydroxyapatite,HAp)涂层,用X射线衍射、扫描电子显微镜,万能材料试验机等测试手段对涂层进行了表征,研究了沉积电压对HAp涂层晶相和显微结构的影响。
3.
The effect of deposition voltage on auxiliary heat PCVD-TiN coatings has been studied.
研究了不同的沉积电压对辅助加热式PCVD -TiN涂层的影响。
3) electrolytically deposited black
电解沉积变黑
4) deposition pressure
沉积压力
1.
The effect of deposition pressure on the properties of PC film;
沉积压力对Parylene C膜性能的影响
2.
The structure and properties of the films during the course of deposition and polymerization were dominated by deposition pressure.
采用化学气相沉积法制备的聚氯代对二甲苯(PPXC)薄膜具有优异的耐溶剂腐蚀及气体阻隔性能,其沉积聚合过程中,沉积压力对膜的结构与性能具有显著影响。
3.
Effects of deposition pressure on structure and properties of thin film were investigated using XRD,SEM,UV-Vis spectrometer and FT-IR four-probe resistivity meter.
采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4~9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。
5) deposition pressure
沉积气压
1.
To lower the surface roughness of diamond thin films by improving the CVD depositing technology, two kinds of new technical methods are proposed by appropriately increasing the carbon source concentration and controlling the deposition pressure.
为通过改进CVD沉积工艺减小金刚石薄膜表面粗糙度 ,提出了适当提高碳源浓度和合理控制沉积气压两项新的工艺方法 ,并通过切削试验研究了其对金刚石薄膜刀具耐用度及切削性能的影
2.
For the diamond films prepared at high deposition pressure,scanning electron microscope images show clearly the crystals and the Raman spectra have sharp peaks at 1332 cm-1,which shows good quality of diamond films.
研究了微波化学气相沉积中沉积气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响。
3.
The influence of different substrate temperature and different deposition pressure on the crystallinity of GaN films are systematically studied by X-ray Diffraction(XRD),Atomic Force Microscope(AFM).
研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。
补充资料：电压波动和电压闪变抑制
电压波动和电压闪变抑制
suppression of voltage fluctuation and flicker
d ianyabodong he dianyashan bion yizhi电压波动和电压闪变抑制(suppression。fvoltage fluetuation and flieker)冶金工厂中的电弧炉、大电动机、大电焊机等工作时，负荷电流的大幅度增减，引起电压急剧变化，其变化速度大于每秒。.2%，此时出现电压调幅波中的最高电压与最低电玉均方根值之差，称为电压波动。电压波动和有时伴随产生的电压闪变导致用电设备运行不稳定，照明闪烁，影响正常生产、生活甚至人身健康。因此，须对电压波动和闪变进行抑制，使其控制在允许范围内。 在中国按国家标准(GB12326一90)规定，电力系统公共供电点的电压波动允许值为:10kV及以下为2.5%，35~110kV为2.0%，220kV及以上为1.6%。在冶金工厂内部(非公共供电点)，按本行业的有关规定，当电弧炉和轧钢大电动机由单独变压器供电时，其用电电压波动允许值可放宽到5%以内。 在电弧炉的熔化期，冲击性无功负荷产生快速的电压波动，使照明灯光发生闪烁，引起人的视觉疲劳而使情绪烦燥，还可能导致电视荧屏监控图像不稳、精密电子仪器工作不正常等。此种人的眼睛对于灯闪的主观感觉称为闪变。对闪变的程度，以对人的眼睛最为敏感的loHz频谱的等效闪变电压值△V10的大小来衡量和评价，按国家标准(GB12326一90)规定，电力系统公共供电点的允许△V10推荐值为:照明要求较高的白炽灯负荷为0.4%，一般性照明负荷为。，6%。 其抑制措施是:(l)对于轧机主传动的冲击性负荷，设计时采用减少电网感抗，以提高供电点的短路容量;或利用自备发电厂发电机，大型同步电动机(如高炉电动鼓风机)进行跟踪补偿;或将两个以上的冲击负荷在时间上错开;或设立单独的静止型动态无功补偿器等加以解决。后者有晶闸管开关电容器式(TSC)、晶闸管控制电抗器式(TCR)、晶闸管控制高阻抗变压器式(TCT)、自饱和电抗器式(SSR)、可控饱和电抗器式(CSR)、复合式(TCR十TSC)和自激变换器式(SVG)等多种类型。(2)对于电弧炉冲击性负荷，设计时采用减少电网感抗以提高供电点的短路容量;或设置单独的静止型动态无功补偿器等加以解决。由于电弧炉在熔化期三相负荷经常不平衡，闪变剧烈，要分相进行控制。要求补偿器响应速度快(全过程的响应时间应小于1个周波)参设计通常采用TCR、SSR、TCT和TCR二TSC等几种静止型动态无功补偿器。 (张炳炎)
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参考词条