1) diffusive-interface model
扩散界面模型
2) diffuse-interface field model
扩散界面场模型
1.
Morphological evolutions and kinetics process controlled by transformation-induced elastic strain (include external strain field) during isostructure phase separation are systematically investigated using prototype binary alloy by diffuse-interface field model.
采用扩散界面场模型对非对称成分点及拐点以下成分点同构两相分解过程中应力场(包括外场)对析出相的形态及动力学过程的影响作了比较系统的研究。
3) diffuse interface field variable model
扩散界面场变量模型
1.
The kinetics of 2D-grain growth was simulated based on diffuse interface field variable model, in which the lattice anisotropy effect existing in the conventional models is almost no existance.
采用扩散界面场变量模型模拟二维晶粒长大的动力学过程,利用该模型可以避免常规方法中由于格点离散化带来的晶粒长大各向异性,并通过建立晶界能与梯度能量系数间的关系模拟得到了异常晶粒长大过程的微观组织演化图。
4) interface diffusion
界面扩散
1.
The antiferromagnetic coupling and interface diffusion in Fe/Si multilayers;
Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散
2.
In order to clarify the scale-dependent interface diffusion behavior,the resistivity (ρ) and the specular reflection coefficient (P) of Ni/Al nanomultilayers deposited by magnetron sputtering as a function of the periodic number (n),Ni/Al modulated ratio (R) and modulated period (L) have been characterized by Fuchs-Sondheimer (FS)-Mayadas-Shatzkes (MS) model.
采用FS-MS模型研究了Ni/Al纳米多层膜的薄膜电阻率ρ及镜面反射系数P随周期数n、Ni/Al调制比R和调制波长L的演变规律,从而表征了多层膜界面扩散行为的尺度依赖性。
5) interfacial diffusion
界面扩散
1.
Nonlinear Kinetics Theory for Interfacial Diffusion in Nanometer-scale Multilayers;
纳米多层薄膜界面扩散的非线性动力学理论研究
2.
The plate model and tube model for analyzing the interfacial diffusion were proposed and the plate model was adopted to test the diffusion.
采用Ni-Fe-C填充材料对WC-30Co硬质合金与45钢的钨极氩弧(TIG)焊进行了研究,观察分析了焊接接头的组织形貌,提出了块体界面扩散的板片模型和管道模型,并采用板片模型对WC-30Co硬质合金与钢TIG焊焊接的WC-30Co/焊缝界面的各元素的扩散行为进行了分析。
3.
The fundamental of electromigration,the phenomenon of electromigration failure,the failure mechanism,the micro-effects and the dominant failure mechanism-interfacial diffusion are introduced.
论述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展,讨论了电迁移的基本原理、失效现象及其相关机制和微效应以及主导失效的机制——界面扩散等,同时探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,主要有铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理等方法,并指出了Cu互连电迁移可靠性研究有待解决的问题。
补充资料：界面扩散
界面扩散
boundary diffusion
界面扩散boundary diffusion扩散物质在多晶体样品中两晶粒间界面或者两个相间界面的迁移。在金属工艺中，界面扩散很重要，因为它对许多变化过程如扩散相变、晶粒长大等所产生的影响，常常比晶格扩散还要大。研究界面扩散也有助于了解它的结构。目前这方面的研究还不多，但从社在钨中的晶界扩散及银在银晶界中的自扩散的实验结果，已可以明显地看到它们的扩散率都比在晶格中的扩散率大，但比在表面上的小(见表面扩散)。测量银在铜的晶界中的扩散率，还发现它和相邻两晶粒的夹角0大小有关，当8=45’时，扩散最快。 与表面扩散相似，界面扩散也有各向异性的性质。根据晶界的位错模型，这种性质是可以预料的。显然，沿着位错管的扩散率不会和垂直方向的相同。银的晶界自扩散实验证明了这一点。并且当晶粒的夹角很小时，晶界扩散的各向异性现象更明显;夹角大到45。时，这性质仍然存在。银在铜晶界中的扩散也出现各向异性现象。(丘第荣)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条