1) Violet and ultraviolet laser materials
紫色和紫外激光材料
2) UV-curing material
紫外光固化材料
1.
The surface properties of UV-cured material were influenced by many factors, which include the curing atmosphere, surface temperature, substrates, layers of UV-cured films and the monomers, photoinitiator, additives in UV-curing material formulation.
本课题分别研究了不同的固化氛围、温度、基材、固化层数等因素对紫外光固化材料表面能的影响,并通过改变单体稀释剂、引发剂、助剂及其含量来研究所形成材料表面能大小的变化规律。
3) ultraviolet optical materials
紫外光学材料
1.
Investigation and development of ultraviolet optical materialsare presented.
概述了紫外光学材料研究与发展概况。
5) UV dye laser
紫外染料激光器
6) UV laser
紫外激光
1.
Gaseous photodissociation deposition kinetics of UV laser-induced Mn_2 (CO)_(10);
紫外激光诱导Mn_2(CO)_(10)的气相光解离沉积动力学
2.
Influence on the absorption spectrum of lead silicate glass films after UV laser irradiation;
紫外激光照射对硅酸铅玻璃薄膜吸收谱的影响
3.
Study on surface peel process of Si under radiation of brief pulse UV laser;
短脉冲紫外激光辐照下硅材料表面剥离过程研究
补充资料：光记录和存储用半导体激光材料
光记录和存储用半导体激光材料
semiconductor laser materials for optical recording and storage
光记录和存储用半导体激光材料semiconduc-tor laser materials for oPtieal reeordiflg and storage用于制作光盘写入与读出的激光二极管的半导体材料。各种光盘常用激光二极管的发射波长和主要性能见表1。实用的激射0.78#m、0.82召m波长的光记录和存储用半导体激光材料有AIGaAs/GaAs，InGaAsP/InGaP/GaAs。 组成和性能AIGaAs、 InGaAsP、InGaP、GaAs同属111一V族化合物半导体。AIGaAs、InGaP是由AIAs、GaAs和InP、GaP二元化合物按一定比例组成的三元系化合物。InGaAsP是由InP、GaAs和GaP或InAs组成的四元系化合物。这些材料的晶体均为立方晶系闪锌矿结构，重要晶面有(1 00)、(l 10)和(111)，其中(110)为自然解理面。表1光盘用半导体激光二极管性能┌──────┬─────┬────┬────┬───┐│俞鹦 │视频光盘 │声频光盘│数据光盘│打印 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│波长(召m) │0 .78 │0 .78 │0 .82 │0 .78 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│输出功率 │5 │5 │20一30 │5 ││ (mw) │ │ │ │ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│方向性(比率)│2一3 │2一3 │2一3 │2一3 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│象散(一，m) │<10 │<10 │<3 │<2 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│相对强度噪声│<5X10一14 │<10一11 │<10一11 │ ││ │ │一10一12│一10一”│ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│寿命(小时) │>2X104 │)2X104 │)2火104 │>2X104│└──────┴─────┴────┴────┴───┘ AlxGal一xAs(x(0 .45)，InGaP，Inl一x GaxAs，-Pl一y、GaAs晶体能带均为竖直跃迁结构，具有很高的发光效率。其发光波长取决于他们的禁带宽度。
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