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1)  cold atoms transportation
冷原子输运
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2)  refrigerated transportation
冷藏运输
1.
The need of refrigerated transportation for meat products is analyzed.
介绍了我国肉类食品的发展概况,分析了我国肉类食品市场的特点与发展趋势及对冷藏运输的需求,指出了发展过程中存在的问题,并提出了相应的建议。
2.
According to the analysis on each influential factor of freight circulation quality, combining with the studies on international universal standards and food quality standards in developed countries, the essay puts forward the principles of establishing quality index system and the methods on determining main indices for China railway refrigerated transportation.
通过对影响货物流通质量的各种因素的分析和对国际通用标准及发达国家食品质量标准的研究,提出我国铁路冷藏运输质量标准体系的制定原则和主要指标的确定方法。
3.
Through analyzing the status quo of railway refrigerated transportation, and the demand change in perishable goodstransportation market, the essay researches the specialization reform plan for railway refrigerated transportation.
通过对铁路冷藏运输现状及易腐货物运输市场需求变化的分析,研究铁路冷藏运输的专业化改革方案。
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3)  refrigerated transport
冷藏运输
1.
Energy conservation and emission reduction technology in field of refrigerated transport;
关于冷藏运输领域的“节能减排”技术
2.
The course of development of railway refrigerated transport in our country in recent years is reviewed.
回顾了近年来我国铁路冷藏运输工具的发展历程,提出了对铁路冷藏运输发展的设想。
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4)  cooling transportation
保冷运输
1.
China’s cold storage chain is facing the severe global competition at the present time, and the cooling transportation is the bottleneck of the cold storage chain.
由于保冷运输具有操作方便,成本低廉的特点,在我国有很大的推广空间,然而在保冷运输中因采用蓄冷剂进行保冷,存在着明显的温度分布不均匀、保冷时间短、货物品质评价方法尚不健全等问题,而国内、外在这方面的研究文献和可供实际使用的技术资料尚不多见。
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5)  refrigerated transport
冷冻运输
6)  oil transportation
原油运输
1.
Design and implementation of oil transportation management system based on IC card technology;
基于IC卡技术的原油运输管理系统设计与实现
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补充资料：半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有 ，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕 丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条