1) Non-linear adaptive Enhancement
非线性自适应增强
2) Non-line adaptive signal enhancer
非线性自适应信号增强器
3) Adaptive line enhancement
自适应谱线增强
1.
Detecting weak Doppler flow signal and its spectrum under noise with adaptive line enhancement;
自适应谱线增强技术提取噪声中弱超声Doppler血流信号及其频谱
2.
Input signal Kurtosis based variable step size LMS adaptive line enhancement;
基于输入信号峭度的变步长LMS自适应谱线增强方法
3.
Application of adaptive line enhancement on testing the ship-radiated noise
自适应谱线增强在舰船辐射噪声线谱检测中的应用
4) adaptive line enhancement
自适应线谱增强
1.
Line spectral detection of tone weak signal——an adaptive line enhancement technique using coherent addition and frequency domain batch;
窄带弱信号的线谱检测——相干累加频域批处理自适应线谱增强方法
5) Adaptive line enhancer
自适应谱线增强
1.
Kurtosis driven variable step size LMS adaptive line enhancer;
基于峭度激励的变步长自适应谱线增强算法
2.
An adaptive line enhancer based on the above notch filter extracted the signal we required from noisy data.
采用具有跟踪频率变化能力的自适应IIR陷波器对频率、幅值和相位均按照随机游动模型变化的科氏流量传感器的输出信号进行滤波,以求得其频率:再采用自适应谱线增强器从含有噪声的数据中提取出我们所需要的信号;然后采用具有重叠窗的滑动Goenzel算法实时计算两路信号每个采样点之间的相位差,并通过频率和相位差计算出时间差,求得质量流量。
6) adaptive enhancement
自适应增强
1.
A method of implementing adaptive enhancement of variance on an image by a recursive low-pass filter is introduced mainly in this paper.
介绍了用递归低通滤波器方法来实现图象的方差自适应增强。
2.
Considering the characteristics of the inconspicuous difference between targets and backgrounds and the low contrast in infrared images,an adaptive enhancement algorithm based on fuzzy particle swarm optimization is used in the infrared image processing.
针对红外图像目标与背景区分不明显、对比度低的特点,把粒子群优化算法应用到红外图像增强中,提出了红外图像自适应增强的模糊粒子群优化算法。
3.
An edge detection algorithm based on adaptive enhancement is presented in this paper on the basis of the analysis of traditional edge detection algorithm.
在对传统边缘检测算法分析的基础上,文章提出了基于图像的自适应增强的边缘检测算法,首先分别对图像的目标和背景物体进行灰度增强,然后对增强后的图像进行边缘提取,并对提取后的边缘图像进行融合。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条