1) interfacial density of states
晶界间隙态
2) critical hot clearance value
临界热态间隙值
3) Grain-boundary States
晶粒间界能态
1.
Studies on Grain-boundary States in Polysilicon Films FET;
多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布
5) interstitial lattice
间隙晶格
6) crystallization interval
结晶间隙
补充资料:磁性材料3.非晶态磁性材料
磁性材料3.非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous
值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说,各类非晶态合金的Ts和叭,之间的差别不大,而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处,时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例,在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到,温度高,产下降快,一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时,材料的性能不易变坏,图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时,经历1a的八可群约20%。总的说来,不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚,mm电阻率,阁·cm总损Pt,mw/kg磁滞损耗八,mw/kg涡流很耗p.,m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二,材,分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间,s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时,由于环境温度、时间的延续等,使其性能有不同程度的变化,称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时,其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中,如能维持其高温时的原子分布状态,并使之固化,就得到非晶态固体。要做到这一点,只有在极快的冷却速率下,使熔质由熔点T,以上冷却到玻璃化温度,:以下。这个速率不是固定的,它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带,冷速要在105一1少K/s范围,对于纯金属要高达1 ol0K/s以上,并在远低于室温下才能保存。
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参考词条