1) Strong chemical bond
强化学键
2) chemical bond strength
化学键强度
3) strongest chemical bond principle
最强化学键原理
1.
Depending on strongest chemical bond principle, precise hydrogen - like atomic orbitals other than STO and GTO can be taken as basis set for the calculation of electron distribution in a multi-particle system.
计算多粒子体系的电偶极矩时,根据最强化学键原理可采用有节面的精确类氢原子轨道(AO)为基函数,而不用径向光滑化的STO和GTO,因此不需作自洽计算。
4) The dissociated energy of chemical bond
化学键键能
5) chemical bonds
化学键
1.
The relations between electronic structure,chemical bonds and thermoelectric property of misfit layered cobaltite of Ca_3Co_4 O_9 are studied using the den- sity function and discrete variation method(DFT-DVM).
Ca_3Co_4O_9是一类很有希望的新型氧化物热电材料,用离散变分密度泛函方法(DFT-DVM)计算了失配层钴酸盐Ca_3Co_4O_9的电子结构和化学键,讨论了它们与热电性能之间的关系。
2.
This paper reviews that the progress of studies on synthesizing both the nanotubes combined by chemical bonds and the tubimaterials formed by intermolecular forces.
本文介绍近几年来由化学键结合的纳米管以及由分子间力形成的一些纳米或具有中观尺度的管状结构材料的合成研究进展。
3.
On the basis of the constituent chemical bonds of crystal materials,the application of chemical bond viewpoint in the search for new type nonlinear optical crystal materials was studied and disscussed in the present work.
从晶体组成化学键的角度出发 ,研究和探讨了化学键观点在寻找新型非线性光学晶体材料工作中的应
6) chemical bond
化学键
1.
The new calculation of the electronegative scale and the ionicity of chemical bond(Ⅲ);
新电负性标度和化学键离子性的计算(Ⅲ)
2.
Spectroscopic ellipsometry study of the chemical bonds of carbon films;
功能碳薄膜化学键成分的椭偏光谱研究
3.
The relations between composition,structure,chemical bond and property of TiC and Fe single phase,composites of TiC ceramic and doped series,and composites of TiC/Fe ceramic and doped series were researched by using density function and discrete variation method(DFT-DVM).
用离散变分密度泛函方法研究了TiC与Fe单相、TiC/Fe复合陶瓷、TiC掺杂及TiC/Fe复合陶瓷掺杂系列材料,讨论了材料组成、结构、化学键与性能等之间的关系。
补充资料：半导体材料化学键
半导体材料化学键
chemical bond in semiconducter
bondoot一eo一}旧0 huoxueJ旧n半导体材料化学键(chemieal bor、d in SemiCOnduCtor)半导体材料物理基础之一，是晶体邻近两个或多个原子间的强烈的吸引力相互作用的结果。半导体中的化学键主要是共价键。它是由两个原子之间的一对自旋相反的共有电子形成的，具有饱和性和方向性。元素半导体材料中的化学键是纯共价键，化合物半导体材料由于异种原子间存在负电性差，共价键中有某种程度的离子性。在元素半导体材料中共价键导致价电子壳层的S和p轨道形成完全填满的闭壳层。在化合物半导体材料中至少在键合的两原子中有 ·个原子的价电子壳层的S和p轨道形成闭壳层，当原子组成晶体时，原子本身的势场受到周围原子的影响而产生微扰，原子的键合轨道通过线性组合形成杂化轨道。例如，硅在基态的电子排布是ls22s22p63s23p2只有两个可键合的3P轨道。微扰后能量相同的3s轨道与三个3P轨道杂化成电子云分布完全相同的四个新轨道。这样使得硅原子能与最近邻四个硅原子键合。键角均为109“28‘。杂化所得的等价的四个新轨道称为sp3杂化轨道。它们对称地指向正四面体的顶角。在共价结构中，定向的轨道指向最近原子，降低了占据的成键轨道的能量，电子进入杂化状态所付出的能量得到了补偿。大多数半导体结构中，每个原子处在四面体顶角点，形成四面体配位。硅、锗元素半导体材料的金刚石结构，砷化稼、碑化稼等化合物半导体材料的闪锌矿结构，以及出现在离子性较强的半导体材料(例如CdS和ZnO)的纤锌矿结构均是sp“键四面体配位。为完全占据定向的价轨道，每个原子平均需要4个价电子。这意味着可用结构公式ANBs一N描述w族金刚石晶体、l一v族闪锌矿晶体、或者不是闪锌矿就是纤锌矿结构的1一讥和某些卜珊族晶体。式中A和B代表该半导体材料中的两个原子，N是原子A的价电子数。 (余思明)
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参考词条