1) III-nitride nanowires
III族氮化物纳米线
2) III-nitride
III族氮化物
1.
Research Applications in III-nitrides with Cathodoluminescence Unitized Systems;
阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用
3) III-Nitride semiconductors
III族氮化物半导体
5) Si3N4 nanowires
氮化硅纳米线
1.
X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to study the effects of reaction conditions (catalysts,reaction temperature and time) on the crystalline phases and morphologies of the carbothermal reaction products in the sol-gel synthesis of Si3N4 nanowires.
采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响。
6) gallium nitride nanowire
氮化镓纳米线
1.
Template growth of gallium nitride nanowires was demonstrated by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) with carbon nanotubes as templates in this paper.
通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束。
补充资料：III-V族化合物半导体
分子式：
CAS号：
性质：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半导体材料。III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。III-V族化合物的一个重要特点是含有一个V族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个V族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
CAS号：
性质：元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物半导体材料。III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。III-V族化合物的一个重要特点是含有一个V族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个V族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。III-V族半导体化合物制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)，水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)，气相外延(VPE)，分子束外延(MBE)，化学束外延(LBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)等。III-V族化合物半导体材料在光电子器件，光电集成，超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔前景。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条