1) tetragonal HfO2 crystal
四方HfO2晶体
1.
Electronic structure of tetragonal HfO2 crystal has been calculated using localized density approximation (LDA) approach of density functional theory(DFT).
采用密度泛函理论(DFT)框架下的局域密度近似(LDA),计算了四方HfO2晶体的电子结构,包括能带结构和态密度。
2) tetragonal HfO_2
四方晶相HfO2
1.
Electronic structure and elastic constants of tetragonal HfO_2 has been investigated using the plane waves ultrasoft pseudopotential technique based on the density functional theory(DFT).
通过基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似(LDA)平面波超软赝势法,计算了四方晶相HfO2基态的电子结构和弹性系数矩阵。
3) tetragonal crystal
四方晶体
4) tetragonal system
四方晶系晶体
1.
Bridgman method for tetragonal system was investigated by numerical simulation.
本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟。
5) BCT
体心四方晶格
6) HfO 2
HfO2
1.
A novel technique has been developed to selectively etch HfO 2 and RZJ 306 photo-resist by adjusting RF self-bias and the gas pressure of the inductively coupled plasma of CHF 3,Ar and H 2.
通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。
2.
High k dielectric HfO 2 films were deposited on p type Si(100) substrates by e beam evaporation.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 。
3.
HfO 2/SiO 2 multilayer reflective mirrors were deposited on BK7 substrates by E-beam evaporation.
用两种不同纯度的HfO2 材料与同一纯度的SiO2 材料组合 ,沉积λ/ 4规整膜系 (HL) 11H形成 2 6 6nm的紫外反射镜 ,发现反射率相差 0 。
补充资料：四方氧化锆多晶体
分子式：
CAS号：
性质：由细晶粒的四方相组成的致密氧化锆陶瓷，四方相的稳定剂为氧化钇、氧化铈等。具有高强度韧性，抗弯强度>2GPa，断裂韧性(KIC)>20MPa·m1/2。耐磨性好。硬度高、导热系数低[1300℃时为2.09W/(m·K)]。和铁及铁合金的匹配性良好。采用湿法制粉经单相温度区烧结制取。主要用作砂磨机和球磨机球、抽油泵油阀、医疗用刀具、汽车发动机针阀等。
CAS号：
性质：由细晶粒的四方相组成的致密氧化锆陶瓷，四方相的稳定剂为氧化钇、氧化铈等。具有高强度韧性，抗弯强度>2GPa，断裂韧性(KIC)>20MPa·m1/2。耐磨性好。硬度高、导热系数低[1300℃时为2.09W/(m·K)]。和铁及铁合金的匹配性良好。采用湿法制粉经单相温度区烧结制取。主要用作砂磨机和球磨机球、抽油泵油阀、医疗用刀具、汽车发动机针阀等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条