1) Nonlinear Price Impact
非线性价格冲击
1.
Implicit Trading Cost Based on Nonlinear Price Impact in Shanghai Stock Market;
基于非线性价格冲击的沪市隐性交易成本
3) price impact
价格冲击
1.
Thus,it can measure the stock price impact coefficient from trade volume,and at the same time explain the auto-correlation and heteroscedastic characteristic of price variation.
基于现有的股票价格时间序列模型,建立了一个股票价格冲击混合分布分类信息GARCH模型,引入指令簿信息,可以在解释股价变动的自相关性和异方差特性的同时,度量交易量对价格的冲击系数,进一步将价格冲击系数应用于投资优化中,可以得到投资组合的最优交易策略。
2.
Empirical analysis is carried out aiming at elimination of errors in sample system with matching technology,asymmetry in price impact and the relationship between this asymmetry and market condition under different situations in China s securities market.
在中国证券市场选取大盘环境不同的时段,利用配对技术消除样本系统误差,对大单买卖价格冲击不对称性及该不对称与市场环境之间的关系进行了实证分析。
4) nonlinear price function
非线性价格函数
5) Nonlinear price model
非线性价格模型
6) Oil price shocks
石油价格冲击
1.
This paper use linear model and non-linear model to describe oil price shocks,than import it into VAR model,use impulse response function、variance decomposition and elasticity analysis to learn the impacts of oil price shocks.
本文以VAR计量模型为基础,采用线性方法和非线性方法,通过运用脉冲响应分析及方差分解,计算各经济变量对石油价格冲击的弹性来讨论油价冲击对我国经济的影响。
2.
On the one hand, oil price shocks affect the economic through oil price itself directly, and on the other hand it also can affect the economic through the tightening monetary policy indirectly.
石油价格冲击一方面可以通过油价本身直接作用于经济,另一方面也可以通过由油价冲击导致的货币政策变化间接影响经济。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条