1)  S-locus receptor kinase
S-位点受体激酶（SRK）
2)  A/S
A/S
3)  S(Ⅳ)
S（Ⅳ）
4)  General maximum
S-
5)  anti-spoofing(A-S)
A-S
6)  S]+
S]+
1.
The doublet potential energy surfaces of [Si, C, S]++ and [Si, C, S]+-systems were investigated by the DFT, QCISD, and CCSD(T) methods.
采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+体系只有二重态线性的离子[Si—C—S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si—C—S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在。
参考词条
补充资料：配位化合物的受体
分子式：
CAS号：

性质：又称配位化合物的形成体或配位化合物的受体。具有空的价电子轨道，可以接受配位体提供的孤对电子形成配位键或接受配位体的π键电子成键的金属原子或离子。在某些特定情况下也可以是带正电荷的非金属原子。主族元素的金属离子中配位化合物形成体的能力较弱，副族元素的离子作配位化合物形成体的能力较强。中心离子(中心原子)的电荷与半径影响配位化合物的稳定性。

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