1) streamer model
流注理论
1.
Both Townsend theory and the traditional streamer model are the basis for study on gas discharge,however,they both have drawbacks dealing with nanosecond pulse gas breakdown.
经典Townsend机理和流注理论是气体放电研究的基础,但在解释纳秒脉冲气体放电时均存在一定缺陷。
2) "zi wu liu zhu" theory
子午流注理论
1.
Objective: To study the therapeutic effect of introducing "zi wu liu zhu" theory into the differentiation and therapy of chronic urticaria.
目的：探讨引入子午流注理论辨证治疗慢性荨麻疹的疗效。
3) waterflooding theory
注水理论
4) attention theories
注意理论
1.
The paper introduces some attention theories and lists some demonstrations to prove the feasibility of these theories,so as to show the practical significance of these theories and their influence on second language acquisition.
本文介绍了提出的有关注意理论,并综述了有关实证研究结果,说明这些理论的可行性及对二语词汇习得的重要意义。
5) the theory of annotation
注疏理论
6) theory of mutual explanations
转注理论
1.
Duan Yu-cai’s（段玉裁） theory of mutual explanations originated from his teacher Dai Zhen（戴震） but he made a further development and put into a lot of practical uses, forming a comparatively systematic theory.
段玉裁的转注理论源于业师戴震，但有所拓宽，并有大量的实践，形成一种比较系统、影响深远的转注说。
补充资料：流注理论
关于气体电击穿机理的一种理论。由R.瑞特与J.M.米克于1937年提出。汤森理论奠定了气体放电的理论基础，但是随着气体放电研究的发展，有些现象只由汤森理论难以解释，例如放电发展的速度比碰撞电离快，放电通道是不均匀的而呈折线形状，因此需要寻求其他理论。流注理论就是在总结这些实验现象的基础上形成的。
应用流注理论描述放电过程见图。在外施电场作用下，电子崩由阴极向阳极发展，由于气体原子（或分子）的激励、电离、复合等过程产生光电离，在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩（图a）,电子崩接近阳极时，电离最强,光辐射也强（图b）。光电子产生的子电子崩汇集到由阳极生长的放电通道，并帮助它的发展，形成由阳极向阴极前进的流注（正流注），流注的速度比碰撞电离快（图c、d）。同时，光辐射是指向各个方向的，光电子产生的地点也是随机的，这说明放电通道可能是曲折进行的。正流注达到阴极时(图e),正负电极之间形成一导电的通道，可以通过大的电流，使间隙击穿。如果所加电压超过临界击穿电压（过电压），电子崩电离加强，虽然电子崩还没有发展到阳极附近，但在间隙中部就可能产生许多光电子及子电子崩,它们汇集到主电子崩,加速放电的发展，增加放电通道的电导率，形成由阴极发展的流注（负流注）。瑞特和米克认为，当电子崩头部的电场比外加电压在间隙中形成的均匀电场更强时，电子崩附近电场严重畸变，电离剧烈，放电可以自行发展成流注，从而导致间隙击穿。根据这一基本思想，他们进行了理论推演。虽然他们计算电子崩头部电场的方法不尽相同，推导出不同的计算击穿电压的方程，但是计算得到的击穿电压很相近，与试验比较相符。
20世纪60年代后期，纳秒照相技术发展，使对放电通道的研究有了更深入的发展，发现电子崩进行到一定距离之后，放电通道分别向阳极和阴极发展，其速度比电子崩快。
应用流注理论描述放电过程见图。在外施电场作用下，电子崩由阴极向阳极发展，由于气体原子（或分子）的激励、电离、复合等过程产生光电离，在电子崩附近由光电子引起新的子电子崩（图a）,电子崩接近阳极时，电离最强,光辐射也强（图b）。光电子产生的子电子崩汇集到由阳极生长的放电通道，并帮助它的发展，形成由阳极向阴极前进的流注（正流注），流注的速度比碰撞电离快（图c、d）。同时，光辐射是指向各个方向的，光电子产生的地点也是随机的，这说明放电通道可能是曲折进行的。正流注达到阴极时(图e),正负电极之间形成一导电的通道，可以通过大的电流，使间隙击穿。如果所加电压超过临界击穿电压（过电压），电子崩电离加强，虽然电子崩还没有发展到阳极附近，但在间隙中部就可能产生许多光电子及子电子崩,它们汇集到主电子崩,加速放电的发展，增加放电通道的电导率，形成由阴极发展的流注（负流注）。瑞特和米克认为，当电子崩头部的电场比外加电压在间隙中形成的均匀电场更强时，电子崩附近电场严重畸变，电离剧烈，放电可以自行发展成流注，从而导致间隙击穿。根据这一基本思想，他们进行了理论推演。虽然他们计算电子崩头部电场的方法不尽相同，推导出不同的计算击穿电压的方程，但是计算得到的击穿电压很相近，与试验比较相符。
20世纪60年代后期，纳秒照相技术发展，使对放电通道的研究有了更深入的发展，发现电子崩进行到一定距离之后，放电通道分别向阳极和阴极发展，其速度比电子崩快。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条