1) quantum standard
量子基准
1.
In this paper the physical basis of three quantum standards is analyzed.
本文对三种量子基准的物理基础进行了分析,指出三种量子基准是不对称的。
3) measuring datum
测量基准
1.
Error Amending Method of Measuring Datum with Respect to Actual Datum in Measuri ng End-face Run-out;
端面跳动测量中测量基准对实际基准的误差修正法
2.
In physical processing and production, it is quite common that the measuring datum can t match the designing datum, thus, the conversion of the measuring datum has to be made.
在实际加工生产中 ,常常会遇到测量基准与设计基准不重合的情况 ,此时就要进行测量基准的换算 ,换算后就可能会出现“假废品” ,本文通过一个例子来说明分析“假废品”的方法与步
4) quality criteria
质量基准
1.
Study on Aquatic Sediment Quality Criteria for Heavy Metals;
水体沉积物重金属质量基准研究
2.
The establishment of sediment quality criteria for heavy metals is becoming a more urgent problem.
本文阐述了建立沉积物质量标准的意义、用途、重点介绍了七种建立沉积物质量基准的文法,以及每种方法的基本假设、程序和优缺点,并讨论了发展现状和前景。
5) Benchmark dose
基准剂量
1.
Study on the BenchMark Dose of urine fluoride in children and it srelationship to the prevalence of dental flurosis;
儿童尿氟的基准剂量及其与氟斑牙相关关系的研究
2.
Objective Based on two sets of data from occupational epidemiology, Benchmark dose( BMD) was applied to estimate biological exposure limit (BEL).
目的研究基准剂量(BMD)在制定镉生物接触限值中的应用。
3.
Objective Benchmark dose(BMD) was applied to determine the critical concentration of blood lead which led to adverse effects on neurobehavior.
目的 应用基准剂量(BMD)方法来确定铅引起神经行为不良效应的血铅临界浓度。
6) benchmark flux
基准流量
1.
According with ASME standard,from benchmark flux choose,the influence of system inner-leakage and outer-leakage,causes are analyzed on errors of the heat rate results in power plant process report,also countermeasures are put forwards.
根据ASME标准,从基准流量的选择,系统工质内漏、外漏的影响等方面,对发电企业生产报表中热耗率计算结果存在偏差的原因进行了详细的分析,并给出改进建议。
补充资料：量子化霍尔电阻基准
量子化霍尔电阻基准
quantization Hall resistance standard
I目侧夕ihua Huo’er dianzu lizhun.子化扭尔电阻墓准(卿朋u时ion Hall resist-~日恤以坛记)利用量子化霍尔效应建立的电阻基准。由于建立在量子现象的基础上，所以称为量子化粗尔电阻基准。 经典的标准电阻器是用精密合金丝绕制的，其电阻值会随着环境温度、湿度、气压等因素而变化，还会因材料成分的变化和金相情况的缓慢变化而随时间发生慢漂移。20世纪70年代以前，各国的国家标准实验室孺每隔3年把本国的国家电阻标准送到巴黎的国际计童局进行比对。 1980年德国科学家K.von克利青发现了量子化霍尔效应。即在接近绝对零度的深低温下，处于强磁场中的半导体器件的界面上的二维电子气的回转能级(兰道能级)呈现分立状态。电子正好充满某一兰道能级时，粗尔电压曲线上会出现与此对应的一个平台区。平台处的粗尔电阻R。满足公式 月，二hz(幼2)i=l，2，3，……式中;h为普朗克常t，。为电子电荷，i为一正整数，表示兰道能级的编号。由于h/矛是基本物理常数的组合，不会变化。所以根据量子化霍尔效应可以得到德定性极高的电阻量值，原则上与样品形状、测量、温度、气压等均无关，也不会随时间漂移。克利青因此项重大发现而获1985年诺贝尔物理学奖。 常数hl扩虽不会变化，但其在sl单位值中的准确数值需用其他方法准确测定。所以发现量子化霍尔效应以后，国际计量委员会号召所有有能力的国家实验室用实验侧定h/矛的SI值。19价年国际计量委员会综合了各国用计算电容法和回旋加速器法测出的数据，给出了量子化霍尔电阻的国际推荐值为: R。=hleZ=25 812.即7n不确定度为l.3xlo一，(k=1)，决定于19男)年1月1日起在世界范围内启用作为各国确定电阻量值的依据。(陆祖良)
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参考词条