1) sunlight nonlinear temperature difference
日照非线性温差
1.
However,the influence of sunlight nonlinear temperature difference has no rule to follow in the current design theory of deck pavement.
首先介绍了桥面铺装存在的主要病害及其重要性,鉴于日照非线性温差影响在现有桥面铺装设计理论中无章可循。
2) sunshine temperature difference
日照温差
1.
FEM analysis of sunshine temperature difference effect on Jiayuguan weather tower
嘉峪关气象塔日照温差作用有限元分析
2.
The essay puts forward a temperature internal force analysis method for continuous curved plate bridges caused by sunshine temperature difference.
本文论述了超静定结构体系连续弯板桥由于日照温差引起的温度内力分析方法,所采用的方法是曲厚板单元空间分析法,该单元不仅适用于厚板而且也适用于薄板的分析。
3) autogenous thermal stress
非线性温差
4) non-linear mapping
非线性映照
1.
Therefore,an approach based on wavelet analysis and non-linear mapping to detect anomalies was proposed.
数据预处理的一项重要任务是从大量数据样本中剔除异常样本,但在数据集中各数据项间关系未知的情况下,检测异常样本比较困难,为此,提出了一种基于小波分析和非线性映照的异常数据样本检测方法。
2.
Based on analyzing the meaning of data optimized, this papers gives one kind of method of data optimized rest on pattern recognition which is non-linear mapping.
在分析数据优化的意义的基础上,提出了一种基于非线性映照的模式识别的数据优化方法。
3.
Trying to solve the inappropriate structural problem for multiple objective optimizations in iron and steel production,non-linear mapping information processing technology through interactive pattern recognition is used.
对钢铁生产中多目标调优的不良结构问题,试采用交互模式识别的非线性映照信息处理技术,寻找优化目标的类别属性与影响因素值间的对应关系,从而解析优类样本的共性。
5) nonlinear mapping
非线性映照
1.
Processing design of La~(3+)-doped BaTiO_3 nanosize polycrystals powders by nonlinear mapping and its inverse mapping;
用非线性映照及逆映照法设计制备La_xBa_(1-x)TiO_3纳米晶的工艺参数
6) unsymmetrical solar thermal radiation
日照差异
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条