说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 面积效应行程放大装置
1)  area effect stroke amplifier
面积效应行程放大装置
1.
Clamping device is composed of a temperature-controlled micro-displacement driving device, an area effect stroke amplifier and a self-locking bi-bar single-acting toggle force amplifying mechanism.
夹紧装置由温控微量位移驱动装置、面积效应行程放大装置和自锁双边单作用增力铰杆机构组成。
2)  VAP
变面积回放装置
3)  Sediment amplification
沉积层放大效应
4)  elevation amplification effect
高程放大效应
1.
Ray theory solution of the elevation amplification effect on a single-free-face slope;
单面边坡高程放大效应的射线理论解
5)  multiplying arrangement
放大装置
6)  amplification effect
放大效应
1.
The binary linear regress analyzing principle is used to analyze the amplification effect about blasting vibration,moreover,the results are compared with tho.
利用二元线性回归原理分析了露天矿爆破震动沿高边坡的放大效应,并与一元线性回归结果作了比较。
2.
By means of the direct-stiffness method of structural analysis based on the theory of wave propagation,the influence of properties of soil layer on the amplification effect for the incident SH waves of a site with increasing stiffness,site with stiffness layer and site with soft layer is analyzed.
采用基于波传播理论的结构分析直接刚度法,分析了SH波入射时,土层性质对刚度增长场地、含刚性土层场地和含软弱土层场地放大效应的影响。
3.
The main target of this thesis is as follows:1、Study the influence of the soft soil layer to peak acceleration of earthquake, mainly study the thickness and depth of the soft soil layer to analysis the amplification effect or reduction effect of peak acceleration of earthquake.
主要研究软弱土层的厚度和软弱土层的覆盖层厚度来分析对地震峰值加速度的放大效应和缩小效应。
补充资料:场效应晶体管放大电路


场效应晶体管放大电路
field-effect transistor amplifier

  chQngxlaoying妇ng们guan fongda dlo门!目场效应晶体管放大电路(field一effeet tran-sistor amPlifier)利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管(见场效应半导体器件)是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点,又有远比一般晶体管高的输人阻抗。此外,由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高,因此发展迅速,应用日益广泛。 由于场效应晶体管具有输人阻抗高、噪声低的优点,在多级放大电路中,经常用作前置放大级。利用场效应晶体管的恒流特性,在放大电路中也常作恒流源用。 利用场效应晶体管的基本放大电路有三种,分别是共源、共漏、共栅放大电路。 (1)共源放大电路:图(a)是共源放大电路,是用得最广泛的一种电路,其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输人电阻,但由密勒效应引起的输人电容太大,影响高频响应,常用作电压放大。 (2)共漏放大电路:图(b)是共漏放大电路,又名源极跟随器,也是用得比较广泛的一种电路,其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大,输人电容小,电压放大倍数小于1,常用作输人级以提高输人阻抗,或用作阻抗变换、缓冲电路。 利用场效应晶体管的基本放大电路 (a)共源放大电路;(b)共漏放大电路; (c)共栅放大电路 (3)共栅放大电路:图(C)是共栅放大电路,比共源、共漏放大电路用得少,主要用于高频电路,其中场效应晶体管是N沟道结型场效应管。该电路电压增益大,输人电容小,但输人电阻小。
  
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条