2) lead-free piezoelectric ceramic films
无铅压电陶瓷薄膜
1.
Studies on preparation and applications of lead-free piezoelectric ceramic films
无铅压电陶瓷薄膜的制备及应用研究
3) lead-based piezoelectric thin film
铅基压电薄膜
4) Lead-Free thin film
无铅焊接薄膜
5) piezoelectric film
压电薄膜
1.
Research on PVDF Piezoelectric Film Sensor for Electronic Whiteboard;
用于电子白板的聚偏氟乙烯压电薄膜传感器的研究
2.
Based on the principle of phototeching technology,two different projects,namely positive resist protection and negative resist protection,are performed to realize the preparation of the golden electrodes with special shape and dimension on the PVDF piezoelectric film.
为了在聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜上得到特定形状和尺寸的金电极,利用光刻技术的基本原理,分别实施了2种制备方案,即正性胶保护法和负性胶保护法。
3.
The advantages of PVDF piezoelectric film are reviewed.
概述聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的优点,介绍国内外在材料研究和传感器件的研究、应用方面的进展,重点介绍国外PVDF压电传感器在工业自动化、医疗、冲击测试等方面的应用实例,以及国內材料研究、试验测试的进展情况。
6) piezoelectric films
压电薄膜
1.
Performance Improvement of PZT Piezoelectric Films;
PZT压电薄膜的改性研究
2.
Preparation and Growth Characteristics of Piezoelectric Films on Diamond Substrates;
金刚石基片上压电薄膜的制备及其生长特性研究
补充资料：铌镁-锆钛酸铅压电陶瓷
分子式：Pb(Mg1/2Nb2/3)xTiyZrzO3x+y+z=1
CAS号：
性质：一种三元系压电陶瓷。具有广范围的内调节性能，兼有高机电耦合系数（kp=0.76）。高机械品质因素（Qm=400）、高介电常数，时间和温度稳定性好。以氧化铅、氧化钛、氧化铌、氧化镁为原料，经700～850℃预烧合成，再经1100～1300℃高温烧结而成。用于制作压电陶瓷滤波器、变压器、延迟线、换能器等。
CAS号：
性质：一种三元系压电陶瓷。具有广范围的内调节性能，兼有高机电耦合系数（kp=0.76）。高机械品质因素（Qm=400）、高介电常数，时间和温度稳定性好。以氧化铅、氧化钛、氧化铌、氧化镁为原料，经700～850℃预烧合成，再经1100～1300℃高温烧结而成。用于制作压电陶瓷滤波器、变压器、延迟线、换能器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条