1) path for charge self-compensation
自补偿电荷通路
2) charge self-compensation techniques
电荷自补偿技术
1.
A charge self-compensation techniques,based on the dynamic node of the P-type charging dynamic node of N-type,is proposed in this paper.
提出了电荷自补偿技术,此技术利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电,并在此技术基础上综合应用双阈值技术和多电源电压技术,设计了新型低功耗、高性能Zipper CMOS多米诺全加器。
3) charge compensation
电荷补偿
1.
Owing to charge compensation of Mg~ 2+ , only UV absorption around 250nm was observed due to O~ 2- →Ti~ 4+ charge transfer transitions (CT) when Ti content was low.
采用传统无压烧结工艺制备Mg,Ti共掺透明氧化铝陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,结果表明,由于Mg2+的电荷补偿,当Ti掺入量较小时,Ti主要以Ti4+形式存在,(Mg,Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰,为O2-→Ti4+的电荷转移跃迁产生的吸收,并产生Ti4+离子在280—290nm和410—420nm的荧光发射峰;当Ti掺入量较大时,氧化铝透明陶瓷除了存在Ti4+的吸收峰,还表现出Ti3+离子490nm的特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产生的宽带吸收,Ti3+离子的发射谱线与Ti:Al2O3单晶的相吻合。
2.
The present work suggests that the tetragonal crystal field of Cr 3+ ion in KCdF 3∶Cr 3+ ,Li + crystals comes from following two origins: (1) The equivalent charge caused by the charge compensation in the [001] axis direction.
指出 ,对于KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体 ,四角晶场的形成包含两个方面 :( 1 )由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场 ;( 2 )Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。
3.
Meanwhile, owing to the charge compensation, a Cd 2+ ion on [001] axis will be replace by Li + ion.
同时由于电荷补偿作用 ,[0 0 1 ]晶轴方向上的 Cd2 +离子被 Li+离子替代。
4) charging compensation
荷电补偿
5) compensation circuit
补偿电路
1.
A High-performance CMOS CFOA with a Compensation Circuit;
一种有电压补偿电路的高性能低压CFOA
2.
The droops are compensated for by the use of a compensation circuit,and the output pulses are therefore flat to within ±0.
50%的输出脉冲电压,采用补偿电路来补偿脉冲放电期间储能电容的电压降。
3.
Accordingly,a compensation circuit was designed.
通过分析研究,设计出一种克服零位误差的补偿电路,并通过这种补偿电路在转速检测电路中的应用,证明了该补偿电路的实用性。
6) compensating circuit
补偿电路
1.
A design method of NTC-thermistor temperature compensating circuit in series/parallel;
NTC-热敏电阻串、并联温度补偿电路设计
2.
A scheme of reducing common mode EMI based on push-pull compensating circuit;
抑制共模电磁干扰的并联有源补偿电路设计
3.
The designs of the tension ring compensate control alld compensating circuit of the electronic devices are discussed in focus.
通过分析桂林第三塑料制品厂从德国ＡＥＧ公司引进的墙纸卷绕设备中的速度张力控制系统，阐述了其设计思想、系统组成、框图结构设计、主要功能和特点，同时重点论述了张力环的校正设计和某些电子器件的补偿电路设计。
补充资料：电荷补偿
分子式：
CAS号：
性质：当晶体中取代杂质离子与晶体中相应的被取代离子的氧化态不同时，产生的取代缺陷带有一定的有效电荷，为保持体系的电中性，晶体中将产生出带有相反有效电荷的缺陷，使取代缺陷的电荷得到补偿。例如，在氟化钙晶体中掺入三个正电荷的钐离子(Sm3+)时，取代缺陷SmCa*带一个正电荷，晶体中同时存在有氟离子的间隙缺陷F′i，晶体总的电荷保持中性。
CAS号：
性质：当晶体中取代杂质离子与晶体中相应的被取代离子的氧化态不同时，产生的取代缺陷带有一定的有效电荷，为保持体系的电中性，晶体中将产生出带有相反有效电荷的缺陷，使取代缺陷的电荷得到补偿。例如，在氟化钙晶体中掺入三个正电荷的钐离子(Sm3+)时，取代缺陷SmCa*带一个正电荷，晶体中同时存在有氟离子的间隙缺陷F′i，晶体总的电荷保持中性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条