1)  p-nc-Si:H thin film
p型掺杂多晶硅薄膜
2)  p-type
p型
1.
Effects of Substrate Temperature on the Properties of N-doped p-type ZnO Films Deposited by DC Reactive Sputtering;
衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
2.
Recent Research of Cu-based Transparent Conducting Materials with p-type;
p型含铜透明导电材料的新进展
3.
First-principles Calculation on Codoping Structure of p-type ZnO;
氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究
3)  P type
P型
1.
Serotyping and genotyping of G and P types of rotavirus from infantile diarrhea in Fujian Province;
福建省婴幼儿腹泻轮状病毒G型和P型的分型研究
2.
The growth techniques of P type GaN and Al 0 13 Ga 0 87 N by MOVPE, including the doping dosage and thermal anneal, and their influences on the electrical property of the materials are studied.
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。
4)  type p
P型
5)  p-type
p-型
6)  Pearson Type-Ⅲ
P-Ⅲ型
1.
Several common parameter estimating methods in China s hydrologic frequency caculation of Pearson Type- Ⅲ distribution were introduced,focusing on the updated method of Liner moments.
介绍了在我国水文频率计算中常使用的皮尔逊Ⅲ型(P-Ⅲ型)分布的几种参数估计方法,详细地论述了目前最新的线性矩法。
参考词条
补充资料:多晶硅
      单质硅的一种形态。熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,结晶成多晶硅(见彩图)。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
  
  由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶,可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
  

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