1) pulse total dose effects
脉冲总剂量效应
1.
The computational model of MOS Devices on time-dependent response of pulse total dose effects on MOS Devices is set up in the paper,including short-term recovery due to hole transport,the long-term recovery due to trapped hole anneal and the long-term buildup of interface traps.
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立,详细讨论了俘获空穴空间分布的差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响。
2) Pulsed total dose
脉冲总剂量
1.
Pulsed total dose effect test technique and damage laws study;
脉冲总剂量效应测试技术及其损伤规律研究
3) total dose effect
总剂量效应
1.
The measured results show γ-ray,X-ray and neutron irradiation effects of floating ROM devices are total dose effects.
测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。
2.
The structure and transmitting characteristics of fiber optic are introduced,the total dose effects in fiber optic are analyzed and the experim entation results in 60 Co gamma ray are also discussed.
对光纤的总剂量效应进行了研究。
3.
Radiation effects in Si ICs , such as total dose effect, single event effect , et al.
空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。
4) Total dose effects
总剂量效应
1.
Test methods of total dose effects in very large scale integrated circuits;
大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
2.
The total dose effects of protons on the soft oxide MOS devices and rad hard MOS devices are tested.
介绍了几种加固和非加固 MOS电路的质子辐照总剂量效应实验 ,质子束的能量为 9、 7、 5、 2 Me V。
3.
The proton and neutron irradiation effects in FLASH ROM and EEPROM are total dose effects rather than single event effects.
9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 。
5) Pulsed energy effects
脉冲能量效应
6) tatal ionizing dose effects
电离总剂量效应
补充资料：低剂量效应
分子式：
CAS号：
性质：某些化学药剂在浓度很低时可通过进入开始结晶的盐类晶格内部以阻止晶体生长的能力。例如，投加剂量在0.25～10mg/L范围内，便可抑制盐的沉积过程。
CAS号：
性质：某些化学药剂在浓度很低时可通过进入开始结晶的盐类晶格内部以阻止晶体生长的能力。例如，投加剂量在0.25～10mg/L范围内，便可抑制盐的沉积过程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条