2) Optoelectronic integrated circuit (OEIC)
GP(Gummel-Poon)大信号模型
3) large-signal model
大信号模型
1.
Using typical data of the device,large-signal model was developed by ICCAP and a two-stage GaN MMIC was simulation by ADS.
利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9。
4) large signal model
大信号模型
1.
The accurate description to the nonlinear current source Ids(Vgs,Vds)is one of the most important part of the large signal model for AlGaN/GaN HEMTs.
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一。
5) GP/CE model
GP/CE模型
6) GP model
GP模型
1.
According to their physical meanings in GP model, the BJT parameters are obtained first by measuring the volt and current in specified status, and then by processing the data.
各参数根据其在GP模型中的物理意义,测得特定工作状态下的电流、电压值,经计算处理而得到。
2.
Based on the theory of GP model and Process Data,a method of optimizing the key temperature parameters such as XTB and XTI is discussed in this paper,and it s proved in a typical bandgap reference circuit with Hspice simulation which the temperature characteristic of bandgap reference can be improved ranging from-55℃ to 125℃.
以GP模型理论和工艺数据为基础,提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法。
补充资料：AutoCad 教你绘制三爪卡盘模型,借用四视图来建模型
小弟写教程纯粹表达的是建模思路,供初学者参考.任何物体的建摸都需要思路,只有思路多,模型也就水到渠成.ok废话就不说了.建议使用1024X768分辨率
开始
先看下最终效果
第一步,如图所示将窗口分为四个视图
第二步,依次选择每个窗口,在分别输入各自己的视图
第三步,建立ucs重新建立世界坐标体系,捕捉三点来确定各自的ucs如图
第四步,初步大致建立基本模型.可以在主视图建立两个不同的圆,在用ext拉升,在用差集运算.如图:
第五步:关键一步,在此的我思路是.先画出卡爪的基本投影,在把他进行面域,在进行拉升高度分别是10,20,30曾t形状.如图:
第六步:画出螺栓的初步形状.如图
第七步:利用ext拉升圆,在拉升内六边形.注意拉升六边行时方向与拉升圆的方向是相反的.
之后在利用差集运算
第八步:将所得内螺栓模型分别复制到卡爪上,在利用三个视图调到与卡爪的中心对称.效果如图红色的是螺栓,最后是差集
第九步:阵列
第10步.模型就完成了
来一张利用矢量处理的图片
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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