Ni~（2+）掺杂,Ni~(2+) doping,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Ni~(2+) doping

Ni~（2+）掺杂

2) nickel

Microwave absorbing properties of La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3/Ni/nickel nano-composite system;

纳米La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3/Ni粉复合体系的微波吸收性能

Allocation,circulation and purifying effect of nickel in synthetic wastewater in Avicennia marina simulated wetland system;

模拟分析白骨壤湿地系统中Ni的分配循环及其净化效果

Determination of Iron,Cobalt and Nickel as Chelates with 4-(2-Thiazolylazo)Resorcinol by Liquid Chromatography with Electrochemical Detection;

4－（2－氨基噻唑）－间苯二酚为柱前衍化剂液相色谱／电化学检测Fe、Co、Ni

3) Ni

Analysis of Mn,Mo,V,Ni,Al,Cu,Cr in low alloy steel by ICP-AES;

ICP-AES分析低合金钢中的Mn、Mo、V、Ni、Al、Cu、Cr元素

Influence of Ni on the Morphology of Primary Al_3Fe Phase in Al-5%Fe Alloy;

Ni对Al-5%Fe合金中初生Al_3Fe相形貌的影响

Catalytic Decomposition of Methane by Ni/Oxidized Diamond;

Ni/氧化金刚石催化裂解甲烷制氢技术研究

4) Ni?

NiⅡ

5) Ni)

Ni）

6) Ni(Ⅱ)

Ni（）

参考词条

Ni-Zn Ni~（2+） Ni-B Raney-Ni Fe-80at%Ni Ni粉 Ni-Fe Ni/ZnO Ni（100） Ni/γ-Al2O3 Ni-Co/BaTiO3 Ni/α-PbO2/β-PbO2 Ni-P Raney Ni Ni-W-ZrO2 MoS_2/TiC/Ni 完全偏振光 Sb-Si络合作用

补充资料：半导体材料掺杂

半导体材料掺杂
doping for semiconductor material

bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引 Ni（Ⅱ） Ni（Ⅲ） Ni（Ⅱ）-Ni（Ⅱ） Ni-PTFE

1) Ni~(2+) doping Ni~（2+）掺杂 2) nickel Ni 1. Microwave absorbing properties of La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3/Ni/nickel nano-composite system; 纳米La_(0.8)Ba_(0.2)MnO_3/Ni粉复合体系的微波吸收性能 2. Allocation,circulation and purifying effect of nickel in synthetic wastewater in Avicennia marina simulated wetland system; 模拟分析白骨壤湿地系统中Ni的分配循环及其净化效果 3. Determination of Iron,Cobalt and Nickel as Chelates with 4-(2-Thiazolylazo)Resorcinol by Liquid Chromatography with Electrochemical Detection; 4－（2－氨基噻唑）－间苯二酚为柱前衍化剂液相色谱／电化学检测Fe、Co、Ni 3) Ni Ni 1. Analysis of Mn,Mo,V,Ni,Al,Cu,Cr in low alloy steel by ICP-AES; ICP-AES分析低合金钢中的Mn、Mo、V、Ni、Al、Cu、Cr元素 2. Influence of Ni on the Morphology of Primary Al_3Fe Phase in Al-5%Fe Alloy; Ni对Al-5%Fe合金中初生Al_3Fe相形貌的影响 3. Catalytic Decomposition of Methane by Ni/Oxidized Diamond; Ni/氧化金刚石催化裂解甲烷制氢技术研究 4) Ni? NiⅡ 5) Ni) Ni） 6) Ni(Ⅱ) Ni（）参考词条 Ni-Zn Ni~（2+） Ni-B Raney-Ni Fe-80at%Ni Ni粉 Ni-Fe Ni/ZnO Ni（100） Ni/γ-Al2O3 Ni-Co/BaTiO3 Ni/α-PbO2/β-PbO2 Ni-P Raney Ni Ni-W-ZrO2 MoS_2/TiC/Ni 完全偏振光 Sb-Si络合作用补充资料：半导体材料掺杂半导体材料掺杂 doping for semiconductor material bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群) 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com