1) p-channel HFET
p沟异质结场效应晶体管
2) HFET
异质结场效应晶体管
1.
The progress in development of GaN based Heterostructure FETs(HFETs)is reviewed.
回顾了氮化镓 ( Ga N)基异质结场效应晶体管 ( HFET)的发展 ,概述了它的直流和微波特性。
3) high electron mobility transistor
异质结场效应晶体管
1.
The III-V nitrides AlGaN has received a lot of attention recently as one of the important wide band gap semiconductor materials for fabricating optoelectronic components such as ultraviolet photodetectors,heterostructure field effect transistors,and high electron mobility transistors.
作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料,Ⅲ-V族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注。
4) P-channel FET
P沟道场效应晶体管
5) dual material gate field effect transistor(DMG MOSFET)
异质双栅场效应晶体管
6) heterojunction CMOS FET
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
补充资料：结型场效应晶体管
结型场效应晶体管
junction field effect transistor
妇exingchongx}OOying妇ngtjgUOn结型场效应晶体管(j unction field effecttransistor)利用半导体PN结反向偏置条件下的电场效应进行工作的场效应半导体器件。其特点是栅源间的电阻高，可以达到10?n以上，它是电压控制器件，所需控制电流极微，且受温度、辐射等外界条件影响小，广泛应用于放大电路和开关电路中，也可做为压控电阻使用。 结构和工作原理结型场效应晶体管的结构示意图如图1〔a)所示。在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)，形成两个PN结。从两边P十型区引出两个欧姆接触电极并连在一起称为栅极g，在N型本体材料的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极d。中间的N型区是载流子通过漏、源两极的通路，称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应图IN沟道结型场 效应晶体管(a)结构示意图;(b)图形符号晶体管称为N沟道管，图1(b)是它的图形符号。还有一种与它对偶的结构形式称为P沟道管，它的图形符号，栅极箭头应向外。沟道的上下两侧与栅极分别形成PN结，改变加在PN结两端的反向偏置电压，就可以改变导电沟道的宽度，实现以改变栅源电压uGs来控制电流￡D的目的。uGs值越负，导电沟道越窄，当uGs加大到一定值时，导电沟道被夹断，坛、0，这时的uGs称为夹断电压:印。 特性曲线当。Ds一定时，uGs和场之间的关系称fD，nl产11〕55“Ds二常数为转移特性，见图2。在脚簇uGs簇0范围内，iD随uGs的增加(负值减少)近似按平方律上升，故有;_;卜_竺{ \祝P/uGs，V图2转移特性式中IDs。称为饱和漏极电流。这一特性常被用来作为混频调制和检波。转移特性上工作点的斜率，称为跨导gm，它是表征结型场效应晶体管放大能力的一个重要参数，单位为毫西(ms)。此外，尚有漏极特性(亦称输出特性)，它描述以uGS为参变量时，而和uDs之间的关系，见图3。飞从图中可见，管子的工作状态可以分成三个区:①可变电阻区。该区的特点是uDs较小，扬几乎与uDs成线性关系增”加。增加的比值由uGs控可变电阻区“cs之OV恒流区一ZV』卫一4V 夹断区为s，v图3漏极特性制。这时结型场效应晶体管的d、s之间可以看成一个由电压匆s控制的可变电阻。②恒流区(也称饱和区)。曲线近似水平的部分是恒流区，uDs较大。该区的特点是in的大小受uGs控制，而当uDs增大时，扬只略有增加，因而可以把iD近似看成为一个受uGS控制的电流源。③夹断区。当uGS
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