1) γ-Ni/γ '-Ni3Al interface
γ-Ni/γ'-Ni3Al相界
2) γ-Ni/γ'-Ni3Al interface
γ-Ni/γ'-Ni_3Al相界
3) γ-Ni/γ'-Ni_3Al interface
γ-Ni/γ′-Ni_3Al相界
4) γ/γ' interface
γ/γ'相界
1.
By using the discrete variational Xα (DV-Xα) method, the electronic and bonding structures of γ/γ' interfaces with and without Ir addition in Ni-base single crystal superalloys were calculated in the framework of the first-principles theory.
采用非相对论第一原理分子轨道DV-Xα模型簇方法,计算了Ni基单晶超合金γ/γ'相界的电子结构,并从键重替聚居数(QAB)、界面原子层间的部分键合强度,以及界面原子局域环境总键合强度几个方面,对Ir合金化前后γ/γ'界面的结构稳定性、脆化特性、相间断裂的难易程度等几个方面对γ/γ'相界的结构特性进行了分析。
5) γ→εboundary
γ/ε相界
6) γ/γ interfaces
γ/γ界面
补充资料：Ni-Al microwave ferrite
分子式：Ni-Al
CAS号：
性质：又称镍-铝微波铁氧体。在镍旋磁铁氧体基础上，用三价铝离子置换一部分三价铁离子形成的镍-铝旋磁铁氧体。化学式为NiAlxFe2-xO4。当Alx的x值达约0.7%，磁性出现反常现象，这时材料已无实用值。按铝含量而分为0.1≤x≤0.4和0.7≤x≤1.0两类旋磁铁氧体。饱和磁化强度0.035～0.145T，随铝量换量的增加而降低。居里温度155～440℃。铁磁共振线宽18.0～44.0kA/m(9kHz)。介电常数8.2～9.5。介质损耗角正切值（3～50）×10-4。采用电子陶瓷工艺，热压烧结或氮气氛烧结。适于制作高功率器件。
CAS号：
性质：又称镍-铝微波铁氧体。在镍旋磁铁氧体基础上，用三价铝离子置换一部分三价铁离子形成的镍-铝旋磁铁氧体。化学式为NiAlxFe2-xO4。当Alx的x值达约0.7%，磁性出现反常现象，这时材料已无实用值。按铝含量而分为0.1≤x≤0.4和0.7≤x≤1.0两类旋磁铁氧体。饱和磁化强度0.035～0.145T，随铝量换量的增加而降低。居里温度155～440℃。铁磁共振线宽18.0～44.0kA/m(9kHz)。介电常数8.2～9.5。介质损耗角正切值（3～50）×10-4。采用电子陶瓷工艺，热压烧结或氮气氛烧结。适于制作高功率器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条