1) ytterbium-doped gadolinium gallium garnet crystal
掺镱钆镓石榴石晶体
2) gadolinium gallium garnet doped with ytterbium
掺镱钆镓石榴石
5) neodymium-doped gadolinium gallium garnet
掺钕钆镓石榴石
1.
The optimum processing parameters for growth of neodymium-doped gadolinium gallium garnet (Nd:GGG) laser crystal was studied by the Czochralski method.
采用提拉法生长掺钕钆镓石榴石(neodymium-doped gadolinium gallium garnet,Nd:GGG)激光晶体,选择最佳工艺参数:提拉速率为2～4mm/h;转速为20～40r/min;冷却速率为20℃/h。
补充资料：钆镓石榴石晶体
分子式： Gd3Ga5O12
CAS号：
性质：一种激光晶体。立方晶系结构。密度7.09g/cm3。熔点1825℃。无色透明体，常用钕掺杂或用氧化锆及氧化钙取代钆和镓。在室温下能获得脉冲激光输出，波长为1.0633μm。采用提拉法生长。用作磁泡存储元件的衬底材料。
CAS号：
性质：一种激光晶体。立方晶系结构。密度7.09g/cm3。熔点1825℃。无色透明体，常用钕掺杂或用氧化锆及氧化钙取代钆和镓。在室温下能获得脉冲激光输出，波长为1.0633μm。采用提拉法生长。用作磁泡存储元件的衬底材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条