1) Perturbed method
双势垒微扰方法
2) perturbation method
微扰方法
1.
Taking medium as a system of nonlinear oscillator,applying the perturbation method of Liouville equation and the perturbation method of stationary state,in this paper,it obtains the change of density matrix induced by crossing of high velocity electron,which provide the basis for calculating the interrelated thermodynamical quantities further.
将介质视为非线性振子系统 ,应用对刘维方程的微扰展开方法和定态微扰方法 ,得到了有快速电子穿过系统导致的密度矩阵的改变 ,为进一步计算相关热力学量提供了基础 。
3) micropore potential barrier
微孔势垒
4) double-barrier
双势垒
1.
Scattering matrix method and numerical simulation for electronic quantum tunneling a double-barrier;
电子双势垒量子隧穿的散射矩阵方法及其数值模拟
2.
The two kinds of double-barrier light emission tunnel junctions Cu-Al2O3-MgF2-Au and Si-SiO2-Al-Al2O3-Au have been fabricated successfully.
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。
5) double-barrier potential
双势垒
1.
The tunneling characteristics of the semicondoctor quantum well through a double-barrier potential model is studied.
用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性。
6) double barrier
双势垒
1.
The structure, fabrication technology and light emission properties of double barrier MIMIS tunneling junction are discussed.
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体 (MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。
2.
The interface optical (IO) phonon modes in double barrier structures of polar semiconductor are studied with the macroscopic dielectric continuum model.
采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条