1) defect movement
缺陷移动
1.
Such resistivity is caused by the lack of oxygen in the central segment, impurity migration, and defect movement in the course of sintering and cooling.
电阻率的这种分布是由于在样品烧结过程中,中心部位缺氧,表层富氧;冷却时杂质向表层迁移,缺陷移动所致。
2) sift defect
移位缺陷
3) Flow Drawbacks
流动缺陷
5) defect dynamics
缺陷动力学
6) Promoter-deficient
启动子缺陷
补充资料：点缺陷(见晶体缺陷)
点缺陷(见晶体缺陷)
point defect
点缺陷point defeet见晶体缺陷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条