1) supported ceria-zirconia solid solution
负载型氧化铈-二氧化锆固溶体
2) ceria-zirconia solid solution
铈锆氧化物固溶体
1.
Preparation, characterization and three-way catalytic performance of ceria-zirconia solid solution;
铈锆氧化物固溶体的制备、表征及三效催化性能
3) cerium zirconium oxygen solid solution
铈锆氧固溶体
4) zirconia solid solution
氧化锆固溶体
5) based solid solution
氧化锆基固溶体
6) CeO2-ZrO2 film
氧化铈/锆
1.
The results showed that the CeO2-ZrO2 film on the graphite surface was uniform on a nano-meter scale.
采用非均匀成核法,在机械搅拌条件下通过硝酸亚铈和氧氯化锆水解生成无定形氧化铈、氧化锆对石墨进行表面包覆,利用扫描电镜、X射线衍射和XPS对所得样品进行了表征,通过搅拌铸造法制备了氧化铈/锆包覆石墨颗粒增强铝基复合材料,并对复合材料耐蚀性能进行了初步研究。
补充资料：氧化钍基固溶体
分子式：ThO2
CAS号：
性质：具有萤石立方结构。与氧化锆相同，在其中加入二价碱土金属氧化物或三价稀土氧化物时也生成具有氧空位的固溶体，成为氧离子导体。ThO2基固溶体的离子电导率一般比ZrO2基固溶体低，但在低氧分压下有较好的热力学稳定性。在离子迁移数大于0.99时允许的最低氧分压，在1000℃、900℃、800℃时分别为10-29.4、10-34.5及10-39.7pa。在这样低的氧分压下有这样高的离子迁移数是其特点。但在高氧分压下，ThO2基固溶体表现为p型半导体。
CAS号：
性质：具有萤石立方结构。与氧化锆相同，在其中加入二价碱土金属氧化物或三价稀土氧化物时也生成具有氧空位的固溶体，成为氧离子导体。ThO2基固溶体的离子电导率一般比ZrO2基固溶体低，但在低氧分压下有较好的热力学稳定性。在离子迁移数大于0.99时允许的最低氧分压，在1000℃、900℃、800℃时分别为10-29.4、10-34.5及10-39.7pa。在这样低的氧分压下有这样高的离子迁移数是其特点。但在高氧分压下，ThO2基固溶体表现为p型半导体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条