1) crystal reaction
晶体相反应
1.
This article investigates the feasibility of using sewage sludge to manufacture haydite,analyzes the related problems,and discusses the resolutions by studying SEM microstructures and crystal reactions.
研究了污泥烧结陶粒轻骨料的建材性能,分析了污泥制陶粒轻骨料的技术可行性和存在的难题,并从烧结过程的结构形态变化和晶体相反应机理角度讨论了可行的解决办法。
2) reaction between crystals
晶体间反应
3) transistor inverter
晶体管反向换流器，晶体管反相器
5) solid-phase reaction in supporter
载体固相反应
6) peritectic reaction
包晶反应
1.
Delayed Phenomenon of Peritectic Reaction Under Non-equilibrium Cooling
非平衡凝固时包晶反应滞后现象的研究
2.
Through observation of SEM phase micrographs of specimen heat-treated at different conditions,the peritectic reaction μAl.
通过对名义成分为Al11Cr2的铸锭在不同温度下进行退火处理后的金相分析,首次观察到了包晶反应μ-Al4Cr+Lη-Al11Cr2,且证实了共析反应η-Al11Cr2-μAl4Cr+-θAl7Cr的存在。
3.
It is researched the influence of cooling rate and the content of silicon and manganese alloy on peritectic reaction and position of peritectic point in Fe-C alloy.
研究了冷却速率和硅、锰合金元素含量对Fe-C合金的包晶反应和包晶点位置的影响;由于CSP薄板坯冷却速率快,Fe-C相图向左下方移动,包晶反应区域的碳含量为0。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条