2) one step growth curve
一步生长曲线
3) one-step growth experiment
一步生长实验
4) two-step growth
两步生长
1.
Using reactive radio-frequency magnetron sputtering,ZnO films have been deposited on Si(001)substrate with a two-step growth method.
利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响。
2.
Monocrystalline GaAs layer grown on (100),(111) and (211) Si substrate by hot wall epitaxy two-step growth and direct growth is reported.
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)面最
5) synchronous growth
同步生长
6) asynchronous growth
异步生长
补充资料：一步生长曲线
分子式：
CAS号：
性质：定量描述烈性噬菌体生长规律的实验曲线。其基本步骤是用噬菌体的稀悬液感染高浓度的宿主细胞，以保证每个细胞至多不超过一个噬菌体吸附。数分钟后中止吸附并稀释后置于该细菌最适生长温度下培养。在一定时间内，每隔数分钟取样作效价测定。以效价为纵坐标，培养时间为横坐标所绘成的曲线即为一步生长曲线，它可以反映每种噬菌体的三个最重要的特性参数：潜伏期、裂解期、裂解量。
CAS号：
性质：定量描述烈性噬菌体生长规律的实验曲线。其基本步骤是用噬菌体的稀悬液感染高浓度的宿主细胞，以保证每个细胞至多不超过一个噬菌体吸附。数分钟后中止吸附并稀释后置于该细菌最适生长温度下培养。在一定时间内，每隔数分钟取样作效价测定。以效价为纵坐标，培养时间为横坐标所绘成的曲线即为一步生长曲线，它可以反映每种噬菌体的三个最重要的特性参数：潜伏期、裂解期、裂解量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条