1) electrolytic photo etching
光刻电解
1.
The application of ultrasound to electrolytic photo etching was studied in an effort to solve the problem of non-uniform erosion due to the heat and hydrogen produced in the machining process.
采用光刻电解技术,可以选用对环境污染影响小、成本较低的腐蚀液,实现难蚀除金属材料的微细阵列结构加工,优于化学腐蚀方法。
2) electric etching
电解蚀刻
1.
The electric etching technology for preparing the {110} planes of CVD tungsten coating surface with <111> crystalline orientation and formed morphology of {110} planes on the CVD tungsten coating surface are presented.
报导了具有<111>晶向(轴向)的管状钼单晶基体化学气相沉积(CVD)钨单晶涂层的电解蚀刻工艺及形成的{110}晶面形貌。
3) electrolytic etching
电解刻蚀
1.
Process and mechanism of formed pattern graining by electrolytic etching on surface of aluminum alloy;
铝合金表面电解刻蚀图纹化过程与机制
2.
Influence of electrolytic etching currentcollector Cu foil on the performance of anode
电解刻蚀集流体铜箔对负极性能的影响
4) photoelectric engraving
光电雕刻
5) photoelectric scribing
光电刻图
6) electrolytic-etching process
电解蚀刻法
补充资料：光刻
? ±谜障喔粗朴牖Ц聪嘟岷系募际酰诠ぜ砻嬷迫【堋⑽⑾负透丛颖〔阃夹蔚?化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。
光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤（见图）是：①涂布光致抗蚀剂；②套准掩模板并曝光：③用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；④用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；⑤去除已感光的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液，种类很多，根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂；用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。
光刻的精度很高，可达微米数量级，为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。
参考书目
李家植编：《半导体化学原理》，科学出版社，北京，1980。
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参考词条