1) high-voltage bias voltage
高压偏置电路
2) bias voltage circuit
偏置电压电路
3) Biasing circuit of divided voltage
分压式偏置电路
4) bias high-voltage
偏置高压
1.
The basic boost topology principle of using PIC16C781 is introduced;The design of software and hardware of PIC16C781 in the bias high-voltage power sulpply is discussed;The PWM module and closed-loop feedback based on PIC1.
文中阐述了使用PIC16C781产生高压电的基本升压拓扑原理,讨论了PIC16C781在激光测距仪偏置高压电源中的硬件和软件设计,介绍了PIC单片机的PWM模块以及用PIC16C781芯片构成的闭环反馈。
5) bias circuit
偏置电路
1.
This paper proposes a bias circuit for cascode current mirror in band-gap voltage reference to realize low supply voltage.
通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。
2.
The physical performance can be understood explicitly in the equivalent networks,and the judgement of stability functions of every bias circuit could be simply gained.
本文给出了求出典型放大器偏置电路的戴维南等效电路,依此等效电路可直接看清电路工作时的物理意义,进一步判定各个放大电路静态工作点稳定性能的优劣。
3.
This paper analyses the quiescent point Q of base electrod potentiometer bias circuit which is evaluted by method of traditional double batteries,and gives a condition which is engineering approximately estimate quiescent point Q of base electrode potentiometer bias circuit.
本文通过传统的双电池法对基极分压式偏置电路静态工作点Q求解过程的分析,给出了工程估算法估算基极分压式偏置电路静态工作点Q的条件。
6) biasing circuit
偏置电路
1.
In this article,we ll present the appli- cation of ku-band GaAs power FET,design of biasing circuit of FET and how to avoid the the self-excitation of power FET.
本篇文章的主要内容是介绍ku-band大功率放大器应用、防自激问题、功放偏置电路设计。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条