1) epithermal silver deposit
浅成低温型银矿床
2) hypabyssal medium-low temperature nuneral deposit
浅成中-低温银矿床
3) epithermal gold deposit
浅成低温热液型金矿床
1.
Latest advances of researches on epithermal gold deposits
浅成低温热液型金矿床若干问题的最新研究进展
4) epithermal Au deposits
浅成低温金矿床
5) epithermal mesothermal gold deposit
中低温浅成矿床
6) Hongshan HS-epithermal Cu-Au deposit
红山高硫型浅成低温Cu-Au矿床
补充资料:低温固化银浆
分子式:
CAS号:
性质:足以超细片状银粉为导电相的厚膜导体浆料,不含玻璃黏结剂,只在300℃以下温度进固化处理。有FAg-A1,TCAg-B1,TCAg-B4等,固化温度分别为80℃,120℃和90℃。通常用超细银粉或光亮银粉与溶有特殊树脂的有机黏合剂调和均匀而成。固化法包括传统空气中加热和红外固化。使用时经丝网印刷、浸渍、喷涂、涂刷和压制等方法制得牢固的导电银膜。用于固体钽电解电容器的负极过渡层、电磁屏导电膜、镀铜底层。此外也用于碳膜电阻器和印刷电阻电路的端电极等。
CAS号:
性质:足以超细片状银粉为导电相的厚膜导体浆料,不含玻璃黏结剂,只在300℃以下温度进固化处理。有FAg-A1,TCAg-B1,TCAg-B4等,固化温度分别为80℃,120℃和90℃。通常用超细银粉或光亮银粉与溶有特殊树脂的有机黏合剂调和均匀而成。固化法包括传统空气中加热和红外固化。使用时经丝网印刷、浸渍、喷涂、涂刷和压制等方法制得牢固的导电银膜。用于固体钽电解电容器的负极过渡层、电磁屏导电膜、镀铜底层。此外也用于碳膜电阻器和印刷电阻电路的端电极等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条