补充资料：半导体材料性能检测

半导体材料性能检测
characterization of semiconductor materials

半导体材料性能检测eharaeterization of Semi-eondu亡tor materials半导体材料测试是表征半导体材料性质、性能的技术，是半导体材料发展的重要组成部分。 发展简史20世纪50年代，主要是利用电学(电阻率、霍耳系数、磁阻等)、光学(光电导、光吸收等)方法测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率、杂质含量、杂质(缺陷)能级等来了解材料的补偿度(纯度)、宏观均匀性以及载流子散射机理等;用X射线衍射、金相观察等确定半导体材料的晶体结构及其完整性，如层错、位错密度、夹杂和孪晶等。在70年代，随着半导体材料生长方法如液相外延(LPE)、气相外延或气相沉积(VPE或CVD)技术的迅速发展，材料检测分析的重点逐渐转向对半导体薄膜的表面、异质结界面性质研究和对薄膜材料的组分和结构分析。在这期间，新型测试分析方法，如结电容技术、激光光谱技术、俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术等的发展和不断完善，为深入研究杂质和缺陷在半导体中的行为、杂质与缺陷相互作用、表面、界面质量、混晶组分以及结构缺陷等提供了有力手段。随着高真空设备商品化和半导体超晶格概念以及异质结理论的提出，分子束外延(MBE)，金属有机化合物气相沉积(MOCVD或MOVPE)和化学束外延(CBE)等新型生长技术，从70年代起，特别在80年代获得了巨大发展，成功地生长出了一系列的非晶态、晶态薄层、超薄层半导体微结构材料。对于超薄层异质结构材料，要了解和获得有关超晶格、量子阱异质结构材料的周期性结构参数，纳米级层厚均匀性和层内缺陷，表面结晶学与电子结构，表面和界面杂质沾污、吸附与界面粗糙度以及异质结界面处能带不连续性等信息。从而实现按人工设计要求生长所需要的各种复杂势能轮廓的异质微结构材料。半导体材料的性能检测技术与半导体科学技术的发展密不可分，它们是相互促进、相互制约和相辅相成的。 技术特点及发展趋势主要包括以下几个方面: ①半导体材料生长的原位检测技术受到了普遍重视。因为MBE、CBE等超薄层材料生长是在高真空系统中进行的，只要在材料生长系统上配置必要的仪器，就能对晶体生长动力学过程进行原位监控和对晶体质量进行原位评估。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。