1) nonlinear ridge estimator
非线性岭估计
1.
The superiority of a kind of nonlinear ridge estimator;
一类非线性岭估计的优良性
2) nonlinear estimation
非线性估计
1.
Study of Derivative-Free Kalman Filting on nonlinear estimation for GPS
GPS非线性估计中无导数卡尔曼滤波研究
2.
Uuscented Kalman filter (UKF) has been successfully applied in many nonlinear estimation and control problems.
Unscented卡尔曼滤波器(UKF)在许多非线性估计及控制问题中取得了成功的应用。
3.
First-order and second-order nonlinear estimation algorithms are based on Kalman filter theory and Stirling interpolation formula.
基于Kalman滤波理论,利用Stirling插值公式,对非线性系统的状态方程和测量方程进行近似形成的一阶和二阶非线性估计算法,克服了扩展Kalman滤波需要复杂求导以及收敛等问题,文中利用该算法,对微小卫星常采用的陀螺/磁强计组合姿态确定进行了研究,仿真分析表明,低成本微小卫星仅采用陀螺和磁强计进行姿态确定是可行的,一阶和二阶近似非线性估计算法处理这种强非线性的姿态估计问题是非常有效。
3) non linear estimate method
非线性估计法
5) nonlinear parameter estimation
非线性参数估计
1.
The computation indicated that this method is useful, effective and adaptive for nonlinear parameter estimation.
介绍了演化算法的基本原理，并使用演化算法来进行非线性参数估计。
6) Nonlinear Recursive Estimate
非线性递推估计
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条