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1)  Wafer processing
晶片加工
2)  technology for processing crystal slice
晶体薄片加工
3)  raw wafer
未加工的晶片
4)  crystal processing
晶体加工
5)  clips processing
薯片加工
1.
This paper introduces the components, water quantity and water quality of the clips processing wastewater, expounds the technical flow of the wastewater treatment, and analyzes on the treating effect, engineering investment and running cost.
介绍了薯片加工废水的组成、水量及水质,阐述了废水处理工艺流程,分析了处理效果、工程投资及运行成本。
6)  partition machining
分片加工
1.
It is critical to determine the interference areas of the unknown freeform surface in order to make the partition machining feasible.
质量和效率是自由曲面零件数控加工所追求的一对相互矛盾的目标,曲面的分片加工可以较好地解决这这一问题,而自由曲面零件分片加工方法中一个关键问题是如何求取自由曲面的干涉区域,提出了在对自由曲面密集采样测量的基础上,利用未知曲面测点信息,通过参数曲面局部逼近和干涉区域测点间几何关系遍历求取干涉区域的算法,该方法避开了烦琐的自由曲面重建处理,仿真和实验研究的结果验证了算法的有效性。
补充资料:半导体晶片加工技术


半导体晶片加工技术
wafer processing of semiconductor crystal

  半导体晶片加工技术wafer proeessi雌of semi-conductor Crystal半导体晶体经过切片、研磨、抛光等工艺过程,加工成可用于制造半导体器件的晶片的技术。半导体晶片的加工过程采用精细和精密的加工技术,主要有以下工序: ①切断。用金刚石外圆刀片切去半导体晶体头、尾,或把长晶体切成几段适合于以后加工的晶体段。加工设备为外圆切断机。 ②定向。利用X射线衍射法或晶体对平行光束反射形成的光图(光图定向法),确定晶体断面的晶体学取向和参考面取向。 ③外圆滚磨。利用无心磨床,采用金刚石杯形砂轮对晶体进行精整加工,使晶体呈理想圆柱形,并加工出参考面。 ④切片。利用刀片或线锯,把晶体切割成一定厚度的晶片。半导体晶片的切割多采用内圆切割方式,即利用高速旋转的内孔镀有金刚石粉末的刀片与晶体接触切割晶体。为了得到平行度好、弯曲度和翘曲度小、表面无刀痕的晶片,内圆刀片的张力、刀刃的冷却、切割速度、刀刃内外侧锋利程度、切屑的排除等都是影响切割片质量的主要因素。 ⑤边缘倒角。为了在研磨、抛光等过程中避免锋利晶片边缘碎裂而损伤加工表面,对晶片边缘要进行倒角加工,使晶片边缘呈一定的曲面。在生长外延层时,为避免边缘凸起,也要求对晶片边缘进行一定角度加工。 ⑥热处理。对硅单晶片有特殊的作用,其目的是当晶片加热到650℃或850℃后,快速通过450℃以消除硅晶体的热施主,从而稳定电阻率。加工过程中可利用各种氨气或氮气保护的热处理炉。 ⑦研磨。利用单面或双面研磨机对晶片表面进行精整加工,以去除切割的刀痕和表面的损伤,改进晶片的几何尺寸—厚度和平行度,提高表面的平整度。晶片研磨一般在研磨机上完成,晶片在平整磨板上用磨料对晶片的一面或双面进行磨削。磨板的平整度将决定晶片表面的平整度。磨料的种类、粒度和均匀性,研磨剂的分散性和研磨压力等将决定研磨速度、晶片表面的粗糙度和机械损伤层的深度。 ⑧腐蚀。为了除去晶片表面的研磨损伤层,并减小晶片表面的抛光量,采用非选择性化学腐蚀剂对晶片表面进行腐蚀。常用的化学腐蚀剂有酸性腐蚀剂和碱性腐蚀剂。
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参考词条