1) Non-linear demand curve
非线性需求曲线
2) nonlinear demand
非线性需求
1.
Then we discuss the difference between the two conditions of linear demand and nonlinear demand .
:在回顾线性需求假设下的完全信息静态与动态博弈古诺模型和斯塔克伯格模型结论的基础上 ,分析了在非线性需求假设下上述模型的一些性质 ,比较了线性与非线性需求情况下关于先发优势的若干结论 。
2.
The price decisions are analyzed by game theory under the condition of nonlinear demand functions.
对基于单一制造商和单一零售商构成的供应链,在非线性需求函数的前提下,应用博弈理论对供应链系统的定价策略进行了分析,分别得出非合作博弈和合作博弈的均衡解,进一步对各种定价策略的效率进行了分析。
3.
A Price Control Method Under the Condition of Nonlinear Demand;
在非线性需求函数条件下 ,研究垄断厂商以固定折扣率定价进行价格控制时的收益最优决策问题。
3) Linear demand curve
线性需求曲线
4) demand curve
需求曲线
1.
The correct conclusion should be this:in the same demand curve,there can be different elasticity to different points,and the price elasticity can be one in the middl.
正确的结论应该是:对同一条需求曲线,对应不同的点有不同的弹性,中点的价格弹性为1,是销售收入最大点,销售收入的变化由销售点在需求曲线上的位置及移动方向共同决定。
2.
Constant-ductility strength demand spectrum is often applied to the construction of structural demand curve.
等延性强度需求谱常用于结构需求曲线的建立。
3.
a phenomenon where the position and the characteristics of demand curve change from a downstream firm to a upstream firm along a supply chain, this paper studies the economic mechanism of the bullwhip effect.
基于需求曲线的位置和性质沿着供应链由下而上逐级变化的现象给出牛鞭效应的新定义,研究了牛鞭效应产生的经济机理。
5) elasto-plastic demand curve
弹塑性需求曲线
6) non-linear trend in demand
非线性增长需求
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条