1) Methodological basis
方法论基础
1.
In addition,as the methodological basis,it stipulates for the necessity and the possibility of philosophical application,and disposes its success or failure.
价值理性规定着哲学应用的必要性、可能性及其应用结果的成败 ,是哲学应用的方法论基
2) Theoretical Bases and Methods
理论基础和方法
1.
Strengthening Theoretical Bases and Methods Research of Information System Integration
大力加强信息系统综合集成的理论基础和方法研究
4) background batch process
基础程序组方法
5) theoretical basis
理论基础
1.
Regional ecological security: The concept and assessment theoretical basis;
区域生态安全:概念及评价理论基础
2.
Theoretical Basis and Guiding Principles of Urban Forest Plan;
城市森林规划的理论基础和指导原则
3.
Theoretical basis of eco-agriculture construction in China.;
我国生态农业建设的理论基础
6) basic theory
基础理论
1.
Progress of basic theory and accumulation law and development technology of coal-bed methane;
煤层气基础理论、聚集规律及开采技术方法进展
2.
Analysis of current study of Chinese medical basic theory and thinking of developing strategy;
中医药基础理论研究现状分析与发展对策思考
3.
Follow the Scientific Development Model, Create a Bright Future for the Library Science--In Commemoration of the 20th Anniversary of the Hangzhou Conference on the Basic Theory of Library Science;
树立科学发展观 创造图书馆学灿烂的明天——纪念杭州图书馆学基础理论研讨会二十周年
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条