1) non-linear emergence
非线性涌现
1.
The esthetic awareness of subjective-objective administration is a kind of non-linear emergence in the interaction between the subject and the object, and has dual nature of utility and non-utility.
主客体管理与审美意识具有对应共生关系 ,主客体管理审美意识是主客体间相互作用中的一种非线性涌现 ,并具有功利与非功利二重性。
2) emergent property
涌现性
1.
This paper first studies the complexities of organization decision making process and the emergent phenomenon in it, then analyses how emergent property influences the organization .
本文研究了组织决策过程的复杂性及其中的涌现现象,分析了涌现性对组织决策效能的作用和影响,提出对组织决策过程中的涌现性进行控制,是组织决策过程管理控制的重心,也是提高组织决策效能的重要途径。
2.
The operation of the complex social system, with the structure and input as its foundation , is the source of emergent property.
复杂社会系统的运行是整体涌现性的产生根源,系统结构以及系统输入是系统运行的基础,当系统运行时其涌现性才会呈现;当系统结构以及运行所需资源都具备时,如系统停止运行则不产生输出,涌现性也不复存在。
4) Virture emergence
德性涌现
5) Nonlinear phenomena
非线性现象
1.
The genetic mechanisms for two typical nonlinear phenomena(migmatites with thermo-centers in the Dabie complex and chemical oscillatory layering of compositions in adarces at Rehai,Tengchong,Yunnan Province)are taken as two concrete exampes to expound the important role of fluids in rock-and-or-forming processes.
本文以二个典型的非线性现象（大别杂岩中的热中心混合岩和云南腾冲热海钙华中的化学振荡分层）的成因机制研究为实例，阐明了流体在成岩和成矿过程中所起的重要作用：流体不仅影响着体系能量的传递，而且，还控制着物质成分的时空分布和输运过程。
6) non-linear phenomena
非线性现象
1.
By the end ofeighties, large local fluctuations were observed in experiments, which shmulatedextensive study on high energy non-linear phenomena- intermittency and fractal.
８０年代末，实验观察到多粒子未态相空间中有局域大起伏，激发了对高能非线性现象——间歇与分形研究的热潮。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条