2) melting crystallization experiments
熔化-结晶实验
1.
A mineral assemblage of quartz +alkali feldspar +mica +fluorite, coexisting with melt phase, is obtained in the melting crystallization experiments above solidus in the F rich granite HF H2O system at 570～700℃and 100 MPa.
通过花岗岩-HF-H2O体系的熔化-结晶实验,在570～700℃、100MPa条件下获得了与淬火玻璃共存的石英+碱性长石+云母+萤石的矿物组合。
3) melting-crystallization experiment
熔化结晶实验
4) experimental crystal physics
实验晶体物理学
5) remelt experiment
重熔实验
1.
The heredity of pure aluminum melt under the action of pulse electric field was investigated by means of repetitious remelt experiment.
对处于熔点以上的纯铝施加电脉冲,通过对铝锭的多次重熔实验,研究了其熔体结构的遗传性。
6) melting experiment
熔化实验
1.
Partial melting experiments of Jiaodong Group and their implication for the origin of the granites;
胶东群部分熔化实验及其对花岗岩成因的指示
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条