1)  NADP+
氧化型辅酶Ⅱ（NADP+）
2)  NADP
辅酶II
1.
The experiment shows that NADP+ could remarkably quench the fluorescence intensity of Tb~(3+)-Tiron complex in Tris-HCl buffer solution o.
实验表明辅酶II显著猝灭铽钛铁试剂络合物的荧光。
3)  NADP
NADP
1.
Types of hydrogenase are reviewed,i ts applications have found its appli cations,such as biohydrogen production,wastewater treatment,prevention of microbial-induced corrosion,generation and regeneration of NADP+ cofactors.
介绍了氢化酶的类型,讨论了氢化酶在生物制氢、废水处理、预防微生物腐蚀、NADP辅因子的产生及其再生等生物技术领域中的应用。
2.
In this work, by using specifity, real-time and simplicity of molecular beacons and coenzyme-dependence of DNA ligase, novel detection methods for adenosine triphosphate (ATP), nicotinamide adenine dinucleotide phosphate (NADP+), creatine kinase (CK) and protein kinase A (PKA) were developed: 1.
本论文基于分子信标技术实时、快速、简便的特点,结合连接酶对辅酶的高度依赖性,以三磷酸腺苷(ATP)、烟酰胺腺嘌呤二核苷酸磷酸(NADP)、肌酸激酶(CK)、蛋白激酶A(PKA)为目标,着眼于发展生物分子检测的新方法,开展了以下四个工作: 1。
4)  NADP~+
NADP+
1.
Appropriate binding sites of NADP+~+ and Fe~(2+) were predicted,and found relative residues which can possibly form H-bonds or interact with NADP+~+ and F.
用Swiss-Model和Modeller对来源于Klebsiella pneumonide的1,3-丙二醇氧化还原酶(PDOR)进行三级结构建模,并对所得的6个目标模型进行评价和比较,从中选择最好的一个模型,预测了辅酶NADP+和Fe2+在PDOR结构空间的近似位置,并定位了与NADP+和Fe2+作用的相关残基。
5)  NADPH/NADP +
NADPH/NADP+
1.
Method: Measuring human serum NADP+H/NADP+ + and GSH/GSSG for its monitoring potential in human serum redox status measurement The oxidant hydrogen peroxide (H 2O 2) and/or reductant N-acetyl L cystein(NAC) was added into endothelial cell cultures for disturbing the cell s redox status, in order to investigate the relationship between redox.
方法 :测定正常人血清的NADPH/NADP+ 和GSH/GSSG比值 ,以了解该两项指标对机体氧化还原态的监测能力。
6)  NADP(H)
NADP（H）
参考词条
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
    　　耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
　　
　　
　　特点 　E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
　　
　　
　　结构与工艺 　只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
　　
　　
　　采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
　　

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