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1)  evolution path
嬗变轨迹
2)  trail change
轨迹变化
1.
\;There are many factors affecting the trail change of impacting mole.
影响可控冲击矛轨迹变化的因素很多,由于目前没有成形冲击矛,因此,制做可控冲击矛的模型来进行模拟试验。
3)  Changable track
变轨迹
4)  Developing trails
流变轨迹
5)  Trajectory Catastrophe
轨迹突变
1.
Bifurcation and Trajectory Catastrophe of Time-dependent Dynamic System;
时变系统分岔与轨迹突变
6)  changing path
演变轨迹
1.
The Same Source and the Different Current Direction——on the comparision of changing path of Lu Xun s and Zhou Zuo-ren s ideologies of humanitarianism.;
同源而异流——鲁迅周作人人道主义思想演变轨迹比较
补充资料:半导体核嬗变掺杂
      用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料,通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素,达到半导体材料的掺杂目的。目前,只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。此方法的原理是K.拉克-霍罗维茨于1951年提出的。1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂,首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。目前中子掺杂硅单晶已成为工业产品,产量逐年增加。
  
  超纯硅在反应堆内主要同热中子发生如下核反应。此反应生成的稳定31P就是N型硅希望掺入的施主元素,经照射后达到的31P浓度N1(单位:厘米-3)可用公式
  计算。式中N2为硅核30Si的数密度(厘米-3);σ为30Si的热中子辐射俘获截面(0.11靶恩);嗞为热中子注量率(厘米-2·秒-1);t为照射时间(秒)。
  
  核嬗变掺杂的突出优点是掺杂精度高和引入的杂质分布均匀。但反应堆的快中子和γ射线还会同时在硅中造成许多辐照缺陷,使硅的物理性能发生显著变化。研究表明,为恢复硅的电学性能,需经800~900℃的退火处理。
  
  半导体核嬗变掺杂的主要限制之一是残余放射性,对于中子掺杂区熔硅,这主要来源于放射性同位素32P(半衰期为14.3天) 。因此,照射后的样品需经一定时间的辐射冷却,方可作为非放射性材料操作。
  
  目前,对核嬗变掺杂的研究主要集中在辐照技术、辐照缺陷的本质和退火行为以及扩大应用的可能性等问题。
  

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